公开(公告)号：CN1119344A

公开(公告)日：1996-03-27

申请号：CN95109627.3

申请日：1995-07-20

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立东部半导体株式会社

Inventor： 丹场裕子 ,  长谷明广 ,  冈崎孝男

IPC: H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0251 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在由多个电子电路组成的半导体集成电路(这些电路分别配置了实现信号传输的接口电路并由多个独立的电源引线端供电)中配置了保护元件，它们分别具有在电源正常状态下使元件关闭的高阈值电压，并将避免静电击穿的一电阻和一二极管连到位于电路间执行信号传输的接口电路的一个输入MOSFET的栅上。即使当触摸时的静电引起的高压加到各电源引线端时，通过保护元件或包含电阻和二极管的防止静电击穿电路，可避免接口电路的静电击穿。

公开(公告)号：CN1104743C

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN95109627.3

申请日：1995-07-20

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立东部半导体株式会社

Inventor： 丹场裕子 ,  长谷明广 ,  冈崎孝男

IPC: H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0251 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在由多个电子电路组成的半导体集成电路(这些电路分别配置了实现信号传输的接口电路并由多个独立的电源引线端供电)中配置了保护元件，它们分别具有在电源正常状态下使元件关闭的高阈值电压，并将避免静电击穿的一电阻和一二极管连到位于电路间执行信号传输的接口电路的一个输入MOSFET的栅上。即使当触摸时的静电引起的高压加到各电源引线端时，通过保护元件或包含电阻和二极管的防止静电击穿电路，可避免接口电路的静电击穿。

公开(公告)号：CN1108445A

公开(公告)日：1995-09-13

申请号：CN95101154.5

申请日：1995-01-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 丹场裕子

IPC: H03H11/04 ,  H01L27/04

CPC classification number: H03F3/45076 ,  H03F2203/45318 ,  H03F2203/45328 ,  H03F2203/45364 ,  H03F2203/45466 ,  H03F2203/45571 ,  H03F2203/45612 ,  H03F2203/45641 ,  H03F2203/45648 ,  H03H11/04

Abstract: 一个OTA-C滤波器中使用的Gm可控放大器，其中来自一个偏置电路的恒定电压被加到接于一个差分MOSEFT的输入差分MOSEFT的负载MOSEFT的漏极的栅极，允许负载MOSEFT作为一个恒流源工作并且其反向输出端接于输入端。输入差分MOSEFT的负载MOSEFT作为恒流源工作，使输入差分MOSEFT的漏极电压与负载MOSEFT的门限电压无关。即使供电电压被设为低于1.5V，当输入信号上升时，也可防止输入差分MOSEFT非饱和，保持电路的平衡。