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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101964195A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010234468.9
申请日：2010-07-20
Applicant: 株式会社日立制作所 , 富士电机电子技术株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: G11B5/65
CPC classification number: G11B5/656 , G11B5/65 , G11B5/7315 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质，所记录的磁信号的稳定性优异并且可进行基于热辅助磁记录方式的磁信号记录。将磁记录层(50)应用于磁记录介质(1)，所述磁记录层(50)包含Pt含量为44at％以上55at％以下并且Ni/(Co+Ni)的原子含量比为0.64以上0.8以下的Co-Ni-Pt合金的强磁性晶粒。就该磁记录介质(1)而言，构成磁记录层(50)的上述Co-Ni-Pt合金由于在常温下具有非常高的各向异性磁场，因此所记录的磁信号的稳定性极其优异。另外，就该磁记录介质(1)而言，构成磁记录层(50)的上述Co-Ni-Pt合金由于具有适当的温度范围的居里点，因此可通过热辅助磁记录方式来进行信号记录。
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公开(公告)号：CN101752053A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910252056.5
申请日：2009-12-04
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: G11B5/656 , G11B5/851 , H01F10/16 , H01F41/18 , H01L43/10 , Y10T428/1114 , Y10T428/115 , Y10T428/32
Abstract: 本发明涉及磁性薄膜及其制造方法和使用其的各种应用装置。本发明涉及含有其中原子有序排列的L11型Co-Pt-C合金的磁性薄膜，能够实现关于L11型Co-Pt-C合金的优良有序度，以获得磁性薄膜的优良磁各向异性。因此，在使用该磁性薄膜的各种应用装置中，可以高水平地获得其大容量化和/或高密度化。
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公开(公告)号：CN101640098A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910152089.2
申请日：2009-07-28
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: G11B5/656 , B82Y25/00 , G11B5/65 , G11B5/82 , H01F10/16 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/18 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , Y10T428/115 , Y10T428/32
Abstract: 本发明提供一种可以较低地抑制饱和磁化Ms、又可以提供高Ku的磁性薄膜及其成膜方法、以及应用该磁性薄膜的各种装置。本发明的磁性薄膜含有具有L1 1 型的原子的有序结构的Co-M-Pt合金(所述M表示单一或者多个除Co和Pt以外的金属元素)，例如，所述Co-M-Pt合金为Co-Ni-Pt合金，组成如下，Co为10～35(at％)，Ni为20～55(at％)、剩余部分为Pt。另外，所述磁性薄膜应用于在垂直磁记录介质、隧道磁电阻元件(TMR)、磁阻式随机存储器(MRAM)、微机电系统装置等中使用的磁性膜中。
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公开(公告)号：CN101964195B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010234468.9
申请日：2010-07-20
Applicant: 株式会社日立制作所 , 富士电机株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: G11B5/65
CPC classification number: G11B5/656 , G11B5/65 , G11B5/7315 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质，所记录的磁信号的稳定性优异并且可进行基于热辅助磁记录方式的磁信号记录。将磁记录层(50)应用于磁记录介质(1)，所述磁记录层(50)包含Pt含量为44at％以上55at％以下并且Ni/(Co+Ni)的原子含量比为0.64以上0.8以下的Co-Ni-Pt合金的强磁性晶粒。就该磁记录介质(1)而言，构成磁记录层(50)的上述Co-Ni-Pt合金由于在常温下具有非常高的各向异性磁场，因此所记录的磁信号的稳定性极其优异。另外，就该磁记录介质(1)而言，构成磁记录层(50)的上述Co-Ni-Pt合金由于具有适当的温度范围的居里点，因此可通过热辅助磁记录方式来进行信号记录。
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公开(公告)号：CN101640098B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200910152089.2
申请日：2009-07-28
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 富士电机株式会社
CPC classification number: G11B5/656 , B82Y25/00 , G11B5/65 , G11B5/82 , H01F10/16 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/18 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , Y10T428/115 , Y10T428/32
Abstract: 本发明提供一种可以较低地抑制饱和磁化Ms、又可以提供高Ku的磁性薄膜及其成膜方法、以及应用该磁性薄膜的各种装置。本发明的磁性薄膜含有具有L11型的原子的有序结构的Co-M-Pt合金(所述M表示单一或者多个除Co和Pt以外的金属元素。)，例如，所述Co-M-Pt合金为Co-Ni-Pt合金，组成如下，Co为10～35(at％)，Ni为20～55(at％)、剩余部分为Pt。另外，所述磁性薄膜应用于在垂直磁记录介质、隧道磁电阻元件(TMR)、磁阻式随机存储器(MRAM)、微机电系统装置等中使用的磁性膜中。
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