公开(公告)号：CN1005369B

公开(公告)日：1989-10-04

申请号：CN86102992

申请日：1986-03-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 户田尧三 ,  黑木桥 ,  石原昌作 ,  谏田尚哉 ,  藤田毅

IPC: C04B35/16

CPC classification number: C04B41/5133 ,  C04B35/18 ,  C04B41/88 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/4676 ,  Y10S428/901 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49158 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种密集集成半导体阵列用陶瓷基片，它在热膨胀系数、介电常数、金属化结合强度和机械强度方面极为优越。它由一种烧结体构成，这种烧结体主要包含莫来石晶体和由SiO2、Al2O3、MgO组成的非晶态助烧结剂。