公开(公告)号：CN116157917A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180061864.2

申请日：2021-09-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 陈倜 ,  德山健 ,  难波明博 ,  荒木隆宏 ,  泽畠公则

IPC: H01L23/473

Abstract: 功率半导体器件具备：导体部；电路部件；对导体部和电路部件进行支承的基板；以及封固构件，所述封固构件形成第1流路，所述第1流路具有热连接至所述功率电路体的第1区域、以及热连接至所述电路部件的第2区域。

公开(公告)号：CN116941035A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202280017462.7

申请日：2022-03-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 陈倜 ,  难波明博 ,  德山健 ,  荒木隆宏 ,  浅井亨太

IPC: H01L25/07

Abstract: 功率半导体装置具备：第一电路体，其构成将直流电流转换为交流电流的逆变器电路的上臂；第二电路体，其构成所述逆变器电路的下臂；以及电路基板，其形成配置所述第一电路体和所述第二电路体的贯通孔，在所述第一电路体与所述第二电路体之间具有中间基板，所述中间基板具有传递所述交流电流的交流布线图案，所述第一电路体和所述第二电路体与所述交流布线图案面接触地连接。