公开(公告)号：CN114902548A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080090750.6

申请日：2020-12-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 三好智之 ,  铃木弘

IPC: H02M7/5387 ,  H02M1/088 ,  H01L29/868 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L29/861

Abstract: 响应对栅极控制型二极管(203)的栅极电极(81)施加的电压，在半导体衬底内控制漂移区域(87)的载流子浓度。在反向恢复状态时，对栅极电极(81)与阳极电极(86)之间施加使栅极电极(81)的界面上产生电子层的零偏置或正偏置的电压信号。在正向恢复状态时，对栅极电极(81)与阳极电极(86)之间施加使栅极电极(81)的界面上产生空穴层的负偏置的电压信号。在正向恢复状态之后，从负偏置切换为施加零偏置或正偏置的电压信号。栅极控制型二极管(203)根据与其串联连接的IGBT的非导通期间，来对施加零偏置或正偏置的期间进行可变控制。

公开(公告)号：CN113474981A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN201980092895.7

申请日：2019-12-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 三好智之 ,  古川智康 ,  竹内悠次郎 ,  铃木弘 ,  白石正树

IPC: H02M1/08 ,  H02M7/5387 ,  H03K17/14 ,  H03K17/16 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 为了提供一种能够实现低损失的性能和相对于温度、通电条件稳定的dvCE/dt的开关的半导体器件，半导体器件包括具有第1栅极端子和第2栅极端子的双栅极IGBT，第1栅极端子在双栅极IGBT从非导通状态向导通状态转移时，比第2栅极端子提前第1规定时间地被施加阈值电压以上的电压，第2栅极端子在双栅极IGBT从导通状态向非导通状态转移时，比第1栅极端子提前第2规定时间地被施加小于阈值电压的电压，第1规定时间和第2规定时间被可变地控制，以使得从非导通状态向导通状态转移时和从导通状态向非导通状态转移时产生的双栅极IGBT的集电极发射极间电压的随时间的变化大致一定。