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公开(公告)号：CN1177204A
公开(公告)日：1998-03-25
申请号：CN97118234.5
申请日：1997-09-09
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 金清任光 , 滨崎良二 , 石津尚澄
IPC: H01L21/3065 , C23F1/12
Abstract: 即使在刻蚀刻蚀部分面积大于光刻胶掩模面积样品的情况下,可靠地获得所需刻蚀形状。通过利用提供有机物质电离的加工气体来刻蚀具有面积为30%或更小的光刻胶掩模105图案的样品。
