公开(公告)号：CN1238564A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：CN99105631.0

申请日：1999-03-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 大柳孝纯 ,  网代优次 ,  渡边笃雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823493 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66537

Abstract: 当在同一芯片上同时配置具有高耐压的元件和具有低耐压的MOS晶体管时，可通过控制低耐压场效应晶体管的阈值电压来防止穿通。在低耐压P－沟道MOS晶体管的源/漏区，在半导体层中，在与源区接触部分的最深点和与漏区接触部分的最深点之间的间距为等于或长于其栅电极的栅极长度。可以防止伴随穿通而来的特性恶化。