公开(公告)号：CN1430272A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN02159388.4

申请日：2002-12-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 梶原良一 ,  小泉正博 ,  筱田政佳 ,  成泽明彦 ,  西村朝雄 ,  守田俊章 ,  高桥和弥 ,  伊藤和利

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/607

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K3/244 ,  H05K3/4602 ,  H01L2924/00

Abstract: 对于在有机基板上直接搭载具有小于100微米间距大于50管脚的电极的LSI芯片的半导体装置，提供半导体装置的耐焊锡回流性、温度循环可靠性、高温高湿可靠性好的安装结构及制造方法。构成为通过Au/Au金属接合直接倒装片接合芯片的电极Au凸起和基板连接端子最表面的Au膜，并接合构成为Au凸起的接合部延伸大于2微米。得到该接合结构的方法为从溅射清洁开始在10分钟内超声波接合两接合面的工序，选择接合条件为基板侧：常温，芯片侧：常温－150度，接合负荷：1/2S＊100MPa－S＊180MPa(S：凸起/芯片间的接触面积)，负荷模式：接合中增加，超声波时间：50－500ms，可实现上述结构。

公开(公告)号：CN100431142C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN02159388.4

申请日：2002-12-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 梶原良一 ,  小泉正博 ,  筱田政佳 ,  成泽明彦 ,  西村朝雄 ,  守田俊章 ,  高桥和弥 ,  伊藤和利

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/607

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K3/244 ,  H05K3/4602 ,  H01L2924/00

Abstract: 对于在有机基板上直接搭载具有小于100微米间距大于50管脚的电极的LSI芯片的半导体装置，提供半导体装置的耐焊锡回流性、温度循环可靠性、高温高湿可靠性好的安装结构及制造方法。构成为通过Au/Au金属接合直接倒装片接合芯片的电极Au凸起和基板连接端子最表面的Au膜，并接合构成为Au凸起的接合部延伸大于2微米。得到该接合结构的方法为从溅射清洁开始在10分钟内超声波接合两接合面的工序，选择接合条件为基板侧：常温，芯片侧：常温-150度，接合负荷：1/2S*100MPa-S*180MPa(S：凸起/芯片间的接触面积)，负荷模式：接合中增加，超声波时间：50-500ms，可实现上述结构。