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公开(公告)号：CN1462646A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN02142541.8
申请日：2002-09-20
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B01D53/869 , B01D53/8662 , Y02C20/30
Abstract: 在除尘室2内安装有多个蚀刻器例如聚合物蚀刻器3或类似物。与所有蚀刻器连接的管道7连接在PFC分解装置9上，该装置安装在除尘室2的外面。通过管道7将含有从除尘室内的所有蚀刻器中排出的PFC的废气提供给PFC分解装置9的内部空间。在PFC已经在PFC分解装置9内加热之后，通过填充在PFC分解装置9内的催化剂的作用使其分解。这就不在需要在其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室2中提供用于安装PFC分解装置9的空间，从而使得除尘室的尺寸减小或“小型化”。所以可以减小其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室的尺寸。
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公开(公告)号：CN85103176A
公开(公告)日：1986-10-22
申请号：CN85103176
申请日：1985-04-26
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G21F9/16
Abstract: 本发明是关于固化放射性废物的工艺过程和装置。首先能将放射性废物转化成几乎水不溶解的粉末(包括水不溶解粉末)，然后在固化容器内用水凝固化剂固化。或者可将放射性废物干燥制成粉末，将这种粉末干燥制成颗粒，然后用一种几乎水不溶解的物质(包括水不溶解的物质)将颗粒敷胶制成微型胶丸。这种几乎水不溶解的盐最好选择钙盐。添加剂最好选择氢氧化钙溶液或者二氯甲烷和己烷组合溶剂。获得的固化物具有高度坚实性，并且体积大大缩小。
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公开(公告)号：CN1404901A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02106431.8
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B01D53/70
CPC classification number: B01D53/68 , B01D53/70 , B01D53/8659 , B01D53/8662 , B01D2257/2064 , G06Q10/101 , G06Q30/04 , Y02C20/30
Abstract: 一种过氟化物的处理方法，其特征在于：过氟化物处理从业者使用连接到排出过氟化物的制造设备上的上述过氟化物处理装置，进行从上述制造设备排出的上述过氟化物的分解处理，与上述制造装置的所有者联系根据由上述过氟化物处理装置已处理的上述过氟化物的处理量计算出的上述过氟化物的处理费。按照该处理方法，可减少制造从业者支付的在过氟化物的分解处理中所需要的费用。
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公开(公告)号：CN85103176B
公开(公告)日：1987-03-25
申请号：CN85103176
申请日：1985-04-26
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明是关于固化放射性废物的工艺过程。首先能将放射性废物转化成几乎水不溶解的粉末（包括水不溶解粉末），然后在固化容器内用水凝固化剂固化。或者可将放射性废物干燥制成粉末，将这种粉末干燥制成颗粒，然后用一种几乎水不溶解的物质（包括水不溶解的物质）将颗粒敷胶制成微型胶丸。这种几乎水不溶解的盐最好选择钙盐。添加剂最好选择氢氧化钙溶液或者二氯甲烷和已烷组合溶剂。获得的固化物具有高度坚实性，并且体积大大缩小。
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公开(公告)号：CN101327399B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810130042.1
申请日：2002-09-20
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B01D53/869 , B01D53/8662 , Y02C20/30
Abstract: 在除尘室2内安装有多个蚀刻器例如聚合物蚀刻器3或类似物。与所有蚀刻器连接的管道7连接在PFC分解装置9上，该装置安装在除尘室2的外面。通过管道7将含有从除尘室内的所有蚀刻器中排出的PFC的废气提供给PFC分解装置9的内部空间。在PFC已经在PFC分解装置9内加热之后，通过填充在PFC分解装置9内的催化剂的作用使其分解。这就不在需要在其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室2中提供用于安装PFC分解装置9的空间，从而使得除尘室的尺寸减小或“小型化”。所以可以减小其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室的尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100443145C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN02142541.8
申请日：2002-09-20
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 在除尘室2内安装有多个蚀刻器例如聚合物蚀刻器3或类似物。与所有蚀刻器连接的管道7连接在PFC分解装置9上，该装置安装在除尘室2的外面。通过管道7将含有从除尘室内的所有蚀刻器中排出的PFC的废气提供给PFC分解装置9的内部空间。在PFC已经在PFC分解装置9内加热之后，通过填充在PFC分解装置9内的催化剂的作用使其分解。这就不在需要在其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室2中提供用于安装PFC分解装置9的空间，从而使得除尘室的尺寸减小或“小型化”。所以可以减小其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室的尺寸。
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公开(公告)号：CN100478054C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN02106431.8
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B01D53/70
CPC classification number: B01D53/68 , B01D53/70 , B01D53/8659 , B01D53/8662 , B01D2257/2064 , G06Q10/101 , G06Q30/04 , Y02C20/30
Abstract: 一种过氟化物的处理方法，其特征在于：过氟化物处理从业者使用连接到排出过氟化物的制造设备上的上述过氟化物处理装置，进行从上述制造设备排出的上述过氟化物的分解处理，与上述制造装置的所有者联系根据由上述过氟化物处理装置已处理的上述过氟化物的处理量计算出的上述过氟化物的处理费。按照该处理方法，可减少制造从业者支付的在过氟化物的分解处理中所需要的费用。
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公开(公告)号：CN101327399A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810130042.1
申请日：2002-09-20
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B01D53/869 , B01D53/8662 , Y02C20/30
Abstract: 在除尘室2内安装有多个蚀刻器例如聚合物蚀刻器3或类似物。与所有蚀刻器连接的管道7连接在PFC分解装置9上，该装置安装在除尘室2的外面。通过管道7将含有从除尘室内的所有蚀刻器中排出的PFC的废气提供给PFC分解装置9的内部空间。在PFC已经在PFC分解装置9内加热之后，通过填充在PFC分解装置9内的催化剂的作用使其分解。这就不在需要在其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室2中提供用于安装PFC分解装置9的空间，从而使得除尘室的尺寸减小或“小型化”。所以可以减小其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室的尺寸。
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公开(公告)号：CN1762552A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510099903.0
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B01D53/70
CPC classification number: B01D53/68 , B01D53/70 , B01D53/8659 , B01D53/8662 , B01D2257/2064 , G06Q10/101 , G06Q30/04 , Y02C20/30
Abstract: 一种处理从多个制造设备排出的过氟化物的处理方法，其特征在于下列步骤：分别通过具有检测装置的多个管路把过氟化物处理装置连接到排出过氟化物的制造设备上；对从分别具有流量计的管路提供的、从多个制造设备排出的过氟化物进行分解处理；以及对每一个制造设备，使用各个流量计的计测值推断或决定上述过氟化物的处理量。
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