过氟化物处理设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1462646A

    公开(公告)日:2003-12-24

    申请号:CN02142541.8

    申请日:2002-09-20

    Inventor: 李洪勲 玉田慎

    CPC classification number: B01D53/869 B01D53/8662 Y02C20/30

    Abstract: 在除尘室2内安装有多个蚀刻器例如聚合物蚀刻器3或类似物。与所有蚀刻器连接的管道7连接在PFC分解装置9上,该装置安装在除尘室2的外面。通过管道7将含有从除尘室内的所有蚀刻器中排出的PFC的废气提供给PFC分解装置9的内部空间。在PFC已经在PFC分解装置9内加热之后,通过填充在PFC分解装置9内的催化剂的作用使其分解。这就不在需要在其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室2中提供用于安装PFC分解装置9的空间,从而使得除尘室的尺寸减小或“小型化”。所以可以减小其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室的尺寸。

    过氟化物处理设备
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101327399A

    公开(公告)日:2008-12-24

    申请号:CN200810130042.1

    申请日:2002-09-20

    Inventor: 李洪勲 玉田慎

    CPC classification number: B01D53/869 B01D53/8662 Y02C20/30

    Abstract: 在除尘室2内安装有多个蚀刻器例如聚合物蚀刻器3或类似物。与所有蚀刻器连接的管道7连接在PFC分解装置9上,该装置安装在除尘室2的外面。通过管道7将含有从除尘室内的所有蚀刻器中排出的PFC的废气提供给PFC分解装置9的内部空间。在PFC已经在PFC分解装置9内加热之后,通过填充在PFC分解装置9内的催化剂的作用使其分解。这就不在需要在其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室2中提供用于安装PFC分解装置9的空间,从而使得除尘室的尺寸减小或“小型化”。所以可以减小其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室的尺寸。

    过氟化物处理设备
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101327399B

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:CN200810130042.1

    申请日:2002-09-20

    Inventor: 李洪勲 玉田慎

    CPC classification number: B01D53/869 B01D53/8662 Y02C20/30

    Abstract: 在除尘室2内安装有多个蚀刻器例如聚合物蚀刻器3或类似物。与所有蚀刻器连接的管道7连接在PFC分解装置9上,该装置安装在除尘室2的外面。通过管道7将含有从除尘室内的所有蚀刻器中排出的PFC的废气提供给PFC分解装置9的内部空间。在PFC已经在PFC分解装置9内加热之后,通过填充在PFC分解装置9内的催化剂的作用使其分解。这就不在需要在其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室2中提供用于安装PFC分解装置9的空间,从而使得除尘室的尺寸减小或“小型化”。所以可以减小其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室的尺寸。

    过氟化物处理设备
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100443145C

    公开(公告)日:2008-12-17

    申请号:CN02142541.8

    申请日:2002-09-20

    Inventor: 李洪勲 玉田慎

    Abstract: 在除尘室2内安装有多个蚀刻器例如聚合物蚀刻器3或类似物。与所有蚀刻器连接的管道7连接在PFC分解装置9上,该装置安装在除尘室2的外面。通过管道7将含有从除尘室内的所有蚀刻器中排出的PFC的废气提供给PFC分解装置9的内部空间。在PFC已经在PFC分解装置9内加热之后,通过填充在PFC分解装置9内的催化剂的作用使其分解。这就不在需要在其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室2中提供用于安装PFC分解装置9的空间,从而使得除尘室的尺寸减小或“小型化”。所以可以减小其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室的尺寸。

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