公开(公告)号：CN1164125A

公开(公告)日：1997-11-05

申请号：CN97102480.4

申请日：1997-02-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 渡边成一 ,  古濑宗雄 ,  田村仁 ,  大坪彻

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/24

Abstract: 本发明等离子体处理方法和装置，利用微波来发生等离子体，对晶片等基板进行等离子体腐蚀、成膜等处理。从空腔谐振器底部上设置的缝隙天线上放射出来的微波生成等离子体，利用它来处理试样，按一定的角度设置缝隙天线，该角度既不平行于也不垂直于空腔谐振器底部上流过的表面电流方向，利用从缝隙天线上放射出来的TEom方式和TMom(m、n为正整数)相混合的微波，生成圆环状等离子体，均匀地对直径大的试样进行处理。

公开(公告)号：CN1176486A

公开(公告)日：1998-03-18

申请号：CN97117927.1

申请日：1997-09-02

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 渡边成一 ,  角屋诚浩 ,  古濑宗雄 ,  田村仁

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32238 ,  H01J37/32192

Abstract: 提供微波的同轴通道(8)在形成部分处理室(1)的介质窗(2)上方垂直安置,以及传输微波的传导板(10)在介质窗(2)上方,同轴通道(8)外部环形面上放置。在以具有临界电子密度nc产生的等离子体表面之间可以形成微波传输通道,从而使得传导板(10)可以无反射地沿着介质窗(2)均匀地从中心向外部四周传输微波。结果,获得可以稳定、均匀地产生等离子体,进行具有很好的可重复性和均匀的等离子体处理的效果。