公开(公告)号：CN1164125A

公开(公告)日：1997-11-05

申请号：CN97102480.4

申请日：1997-02-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 渡边成一 ,  古濑宗雄 ,  田村仁 ,  大坪彻

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/24

Abstract: 本发明等离子体处理方法和装置，利用微波来发生等离子体，对晶片等基板进行等离子体腐蚀、成膜等处理。从空腔谐振器底部上设置的缝隙天线上放射出来的微波生成等离子体，利用它来处理试样，按一定的角度设置缝隙天线，该角度既不平行于也不垂直于空腔谐振器底部上流过的表面电流方向，利用从缝隙天线上放射出来的TEom方式和TMom(m、n为正整数)相混合的微波，生成圆环状等离子体，均匀地对直径大的试样进行处理。

公开(公告)号：CN1164122A

公开(公告)日：1997-11-05

申请号：CN97103106.1

申请日：1997-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 加治哲德 ,  渡边克哉 ,  三谷克彦 ,  大坪彻 ,  田地新一 ,  田中润一

IPC: H01J37/305 ,  C23F1/00 ,  H01L21/461 ,  H01L21/302

Abstract: 在大直径试样进行微细图形精密加工，提高微细加工时选择比的等离子处理装置及等离子处理方法。在具有真空处理室，试样台，以及等离子生成装置的等离子处理装置中，还有在一对电极之间的50至200MHZVHF电源的高频电源，以及产生10高斯以上110高斯以下的静磁场或低频磁场的磁场形成装置。为使磁场沿下电极方向成分的最大部分位于上部电极面上或者偏向上部电极一侧，适当设定上述磁场形成装置，在上述一对电极间，形成电子回旋加速共振区。