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公开(公告)号:CN101884085A
公开(公告)日:2010-11-10
申请号:CN200880115674.9
申请日:2008-02-19
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于改善放电时延的具有改良面板结构的等离子体显示面板,更具体地,提供一种具有新的保护膜结构的等离子体显示面板,该等离子体显示面板具有均一化的面板特性,适于高产率的大批量生产。本发明的PDP具有一对彼此相对的、夹着其中封入放电气体而形成的放电空间的基板结构体(1,9),其中一对基板结构体(1,9)的一个(1)包括:布置在基板(1a)上的显示电极(2X,2Y);用于覆盖显示电极(2X,2Y)的电介质层(3);以及用于覆盖电介质层(3)的保护层(4),该保护层(4)被配置成使得多个MgO单晶(4b)以多个MgO单晶(4b)的晶体取向沿一个方向取向的方式附着在MgO膜(4a)上,并且MgO单晶(4b)在MgO膜(4a)上的覆盖率的标准偏差的三倍除以覆盖率的平均值所得到的值为20%或更小。
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公开(公告)号:CN101471218A
公开(公告)日:2009-07-01
申请号:CN200810108842.3
申请日:2008-05-29
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明涉及等离子体显示面板,降低响应速度的经时变化。在具有在覆盖用于气体放电的电极的电介质层上成膜的氧化镁膜的等离子体显示面板中,氧化镁膜的氧缺损量为3.0×1017~1.0×1020个/cm3,优选为3.0×1017~1.0×1018个/cm3。氧化镁膜的结晶取向性为(220)面取向。
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公开(公告)号:CN101884085B
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN200880115674.9
申请日:2008-02-19
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于改善放电时延的具有改良面板结构的等离子体显示面板,更具体地,提供一种具有新的保护膜结构的等离子体显示面板,该等离子体显示面板具有均一化的面板特性,适于高产率的大批量生产。本发明的PDP具有一对彼此相对的、夹着其中封入放电气体而形成的放电空间的基板结构体(1,9),其中一对基板结构体(1,9)的一个(1)包括:布置在基板(1a)上的显示电极(2X,2Y);用于覆盖显示电极(2X,2Y)的电介质层(3);以及用于覆盖电介质层(3)的保护层(4),该保护层(4)被配置成使得多个MgO单晶(4b)以多个MgO单晶(4b)的晶体取向沿一个方向取向的方式附着在MgO膜(4a)上,并且MgO单晶(4b)在MgO膜(4a)上的覆盖率的标准偏差的三倍除以覆盖率的平均值所得到的值为20%或更小。
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公开(公告)号:CN101471218B
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN200810108842.3
申请日:2008-05-29
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明涉及等离子体显示面板,降低响应速度的经时变化。在具有在覆盖用于气体放电的电极的电介质层上成膜的氧化镁膜的等离子体显示面板中,氧化镁膜的氧缺损量为3.0×1017~1.0×1020个/cm3,优选为3.0×1017~1.0×1018个/cm3。氧化镁膜的结晶取向性为(220)面取向。
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