公开(公告)号：CN85108112B

公开(公告)日：1987-11-04

申请号：CN85108112

申请日：1985-11-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 大桥健也 ,  本田卓 ,  古谷保正 ,  村荣二 ,  凑昭 ,  大角克己

IPC: G21F9/00

CPC classification number: G21C17/0225 ,  C23C8/10 ,  C23C8/16 ,  C23C8/18 ,  G21F9/004 ,  Y10S376/90

Abstract: 对与含有放射性物质的高压高温反应堆水相接触的金属结构元件，采用在暴露于反应堆水中之前即预先在其表面上形成氧化膜的方法降低核电站中的放射性，其特征为将所述的结构元件置于高温的环境介质中作第一步加热氧化处理，然后进一步再在比上述更高氧化能力的环境介质中进行第二步处理，由此形成比第一步氧化处理后得到的更为密实的氧化膜，本发明即藉此而实现显著地降低核电站中的放射性。

公开(公告)号：CN85108112A

公开(公告)日：1986-06-10

申请号：CN85108112

申请日：1985-11-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 大桥健也 ,  本田卓 ,  古谷保正 ,  村荣二 ,  凑昭 ,  大角克己

IPC: G21C19/30 ,  G21C15/00 ,  G21F9/00

CPC classification number: G21C17/0225 ,  C23C8/10 ,  C23C8/16 ,  C23C8/18 ,  G21F9/004 ,  Y10S376/90

Abstract: 对与含有放射性物质的高压高温反应堆水相接触的金属结构元件，采用在暴露于反应堆水中之前即预先在其表面上形成氧化膜的方法降低核电站中的放射性，其特征为将所述的结构元件置于高温的环境介质中作第一步加热氧化处理，然后进一步再在比上述更高氧化能力的环境介质中进行第二步处理，由此形成比第一步氧化处理后得到的更为密实的氧化膜，本发明即藉此而实现显著地降低核电站中的放射性。