公开(公告)号：CN1097314C

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN95100994.X

申请日：1995-03-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 本诚繁 ,  柳泽一正 ,  井上清

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 由具有铁电电容器的存储单元构成的存储矩阵按字线划分为一组存储块。由于配置了存储存储块模式信息的模式存储电路和对存储块相继受到刷新的次数进行计数的刷新操作计数电路，使得相继受到预定次数刷新操作的存储块转换为NV(非易失)模式，而使得有一个存储单元受到读/写操作的存储块转换为DRAM(易失)模式。因为对处于NV模式的存储块不进行刷新和只在向NV模式转换时极化才反相，所以大大降低了功耗和消除了对重写次数的限制。

公开(公告)号：CN1112729A

公开(公告)日：1995-11-29

申请号：CN95100994.X

申请日：1995-03-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 本诚繁 ,  柳泽一正 ,  井上清

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 由具有铁电电容器的存储单元构成的存储矩阵按字线划分为一组存储块。由于配置了存储存储块模式信息的模式存储电路和对存储块相继受到刷新的次数进行计数的刷新操作计数电路，使得相继受到预定次数刷新操作的存储块转换为NV(非易失)模式，而使得有一个存储单元受到读/写操作的存储块转换为DRAM(易失)模式。因为对处于NV模式的存储块不进行刷新和只在向NV模式转换时极化才反相，所以大大降低了功耗和消除了对重写次数的限制。