公开(公告)号：CN1678521A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03821067.3

申请日：2003-08-27

Applicant: 小林正和 ,  株式会社日本触媒

Inventor： 小林正和 ,  武田光生

IPC: C01B19/04 ,  C01B25/08 ,  C01G9/08 ,  C01F17/00 ,  C01B17/42 ,  C01B31/36

CPC classification number: B82Y30/00 ,  C01B17/42 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01F17/0037 ,  C01F17/0093 ,  C01P2002/60 ,  C01P2002/84 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/623 ,  C09K11/883

Abstract: 本发明提供了：在化合物半导体特有的功能(例如发光度和发光效率)中表现出更优异性能的化合物半导体颗粒；和获得这种半导体颗粒的经济，产率良好，且简便的生产工艺。依照本发明的化合物半导体颗粒，其特征在于包含主体颗粒和金属氧化物，其中该主体颗粒具有小于1μm的颗粒直径并被该金属氧化物覆盖，而且包含具有如下元素的基本元素组合的化合物半导体：选自C，Si，Ge，Sn，Pb，N，P，As，Sb，S，Se和Te的至少一种元素X和不同于元素X的至少一种金属元素M，且其中该金属氧化物是与酰氧基结合的金属氧化物。

公开(公告)号：CN1922104A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200580005446.2

申请日：2005-02-17

Applicant: 株式会社日本触媒

Inventor： 武田光生 ,  相泽龙司 ,  森弓子 ,  桑本知幸

IPC: C01B13/14 ,  C01G9/02 ,  C01G15/00 ,  C01G23/04 ,  C01F17/00 ,  A61K8/19 ,  A61Q17/04 ,  C09K3/00

Abstract: 本发明的一个目的是要提供一种具有更好紫外线吸收性的金属氧化物颗粒。作为达到这一目的的手段，本发明的金属氧化物颗粒为这样一种金属氧化物颗粒，以致在含有金属元素(M)的氧化物的颗粒中含有源自不同于金属元素(M)的金属元素(M’)的组分，所述金属氧化物颗粒的特征在于：金属元素(M)为选自Zn、Ti、Ce、In、Sn、Al和Si中至少一种，而金属元素(M’)为选自Cu、Ag、Mn和Bi中至少一种。