公开(公告)号：CN1678521A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03821067.3

申请日：2003-08-27

Applicant: 小林正和 ,  株式会社日本触媒

Inventor： 小林正和 ,  武田光生

IPC: C01B19/04 ,  C01B25/08 ,  C01G9/08 ,  C01F17/00 ,  C01B17/42 ,  C01B31/36

CPC classification number: B82Y30/00 ,  C01B17/42 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01F17/0037 ,  C01F17/0093 ,  C01P2002/60 ,  C01P2002/84 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/623 ,  C09K11/883

Abstract: 本发明提供了：在化合物半导体特有的功能(例如发光度和发光效率)中表现出更优异性能的化合物半导体颗粒；和获得这种半导体颗粒的经济，产率良好，且简便的生产工艺。依照本发明的化合物半导体颗粒，其特征在于包含主体颗粒和金属氧化物，其中该主体颗粒具有小于1μm的颗粒直径并被该金属氧化物覆盖，而且包含具有如下元素的基本元素组合的化合物半导体：选自C，Si，Ge，Sn，Pb，N，P，As，Sb，S，Se和Te的至少一种元素X和不同于元素X的至少一种金属元素M，且其中该金属氧化物是与酰氧基结合的金属氧化物。