有机EL元件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103053040B

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:CN201080068374.7

    申请日:2010-08-06

    Abstract: 本发明提供一种有机EL元件,能够耐受有机EL显示面板的量产工艺,且能实现优异的空穴注入效率,在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言,在基板(1)的一面依次层叠阳极(2)、空穴注入层(4)、缓冲层(6A)、发光层(6B)、阴极(8)而构成有机EL元件(1000)。在空穴注入层(4)的表面形成堤(5)以使得包围所述缓冲层(6A)以上的结构。空穴注入层(4)通过溅射成膜氧化钨薄膜而形成。此时,将氧化钨成膜为在其电子态中在比价电子带最低的结合能低1.8~3.6eV的结合能区域内存在占有能级,降低相对于所述缓冲层的空穴注入势垒。在此,在由所述堤(5)规定的区域形成所述功能层侧的表面的一部分与其他部分相比更位于所述阳极一侧的凹陷构造,由所述堤的一部分覆盖所述凹陷构造的凹部的边缘。

    有机EL元件
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103053041B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201080068393.X

    申请日:2010-08-06

    CPC classification number: H01L51/5088 H01L51/5209 H01L51/5218 H01L2251/5369

    Abstract: 本发明提供一种有机EL元件,能够耐受有机EL显示面板的量产工艺,且能实现优异的空穴注入效率,在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言,在基板(10)的一面依次层叠阳极(2)、空穴注入层(3)、缓冲层(6A)、发光层(6B)、阴极(8)而构成有机EL元件(1000)。在空穴注入层(3)的表面形成堤(12)以使得包围所述缓冲层(6A)以上的结构。空穴注入层(3)通过溅射成膜氧化钨薄膜来形成。此时,将氧化钨成膜为在其电子态中使比价电子带最低的结合能低1.8~3.6eV的结合能区域内存在占有能级,降低对所述缓冲层(6A)的空穴注入势垒。在空穴注入层(3)的上面形成凹部(4a),使该凹部的内面与功能层(缓冲层(6A)或发光层(6B))接触。

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