公开(公告)号：CN103060763B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201210402473.5

申请日：2012-10-19

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 西田正三 ,  泷川志朗

IPC: C23C14/35 ,  B29C45/17

Abstract: 本发明提供一种紧凑且使用方便、初期成本和运行成本均低廉的真空成膜装置及真空成膜方法。在成膜室（2）内设置工件支架（10）和磁控管电极（15）。在磁控管电极（15）设置第一靶材料（16），且与之重叠地设置第二靶材料（17）。第二靶材料（17、17）能够采用覆盖第一靶材料（16）的位置和敞开的位置这两个位置。向工件支架（10）与第一、二靶材料（16、17）之间能够选择地施加直流电压和高频电压。

公开(公告)号：CN103060763A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210402473.5

申请日：2012-10-19

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 西田正三 ,  泷川志朗

IPC: C23C14/35 ,  B29C45/17

Abstract: 提供一种紧凑且使用方便、初期成本和运行成本均低廉的真空成膜装置及真空成膜方法。在成膜室（2）内设置工件支架（10）和磁控管电极（15）。在磁控管电极（15）设置第一靶材料（16），且与之重叠地设置第二靶材料（17）。第二靶材料（17、17）能够采用覆盖第一靶材料（16）的位置和敞开的位置这两个位置。向工件支架（10）与第一、二靶材料（16、17）之间能够选择地施加直流电压和高频电压。