公开(公告)号：CN1701050A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN03825296.1

申请日：2003-09-17

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 金近幸博 ,  三木俊克 ,  甲斐绫子

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/645 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/668 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/784 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  H05K1/0306

Abstract: 一种氮化铝烧结体，该烧结体含有平均晶粒尺寸(D50)为0.1～2.5μm的晶粒，具有不大于1×10－7的孔隙面积比，其直径不小于1μm孔隙的孔隙密度不大于0.05孔/mm2，以及其Vicker硬度为14～17GPa。尽管该氮化铝烧结体具有比较小的晶粒尺寸，它具有很小的孔隙密度，其特征在于优异的强度和镜面机械加工性能，特别可用作在其上面形成精细布线图案的电路基底材料。

公开(公告)号：CN100415687C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN03825296.1

申请日：2003-09-17

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 金近幸博 ,  三木俊克 ,  甲斐绫子

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/645 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/668 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/784 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  H05K1/0306

Abstract: 一种氮化铝烧结体，该烧结体含有平均晶粒尺寸(D50)为0.1～2.5μm的晶粒，具有不大于1×10-7的孔隙面积比，其直径不小于1μm孔隙的孔隙密度不大于0.05孔/mm2，以及其Vicker硬度为14～17GPa。尽管该氮化铝烧结体具有比较小的晶粒尺寸，它具有很小的孔隙密度，其特征在于优异的强度和镜面机械加工性能，特别可用作在其上面形成精细布线图案的电路基底材料。