公开(公告)号：CN1182397C

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN02131934.0

申请日：2002-09-05

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 山本林太郎 ,  中村伸 ,  西根勤 ,  吉田敏彦

IPC: G01N33/543 ,  C12Q1/68

CPC classification number: H01L23/3677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种微阵列芯片。该微阵列芯片通过高速喷射模塑法形成。一芯片体具有1毫米的厚度，且每个井具有1.2微升的厚度和壁厚为250微米的底部。每个井的开口由环形凸出部环绕，该凸出部自芯片体表面升高200微米。井的开口用铝或树脂制造的密封片封闭。微阵列芯片的总体形状为矩形，且是具有水平底表面的平板。因此，微阵列芯片可以使用呈平板形式的加热块，该加热块与诸如井数量及其形状的芯片细节无关。

公开(公告)号：CN1403816A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02131934.0

申请日：2002-09-05

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 山本林太郎 ,  中村伸 ,  西根勤 ,  吉田敏彦

IPC: G01N33/53 ,  G01N33/68 ,  C12Q1/68

CPC classification number: H01L23/3677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种微阵列芯片。该微阵列芯片通过高速喷射模塑法形成。一芯片体具有1毫米的厚度，且每个井具有1.2微升的厚度和壁厚为250微米的底部。每个井的开口由环形凸出部环绕，该凸出部自芯片体表面升高200微米。井的开口用铝或树脂制造的密封片封闭。微阵列芯片的总体形状为矩形，且是具有水平底表面的平板。因此，微阵列芯片可以使用呈平板形式的加热块，该加热块与诸如井数量及其形状的芯片细节无关。