公开(公告)号：CN119325451A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202380029046.3

申请日：2023-03-29

Applicant: 株式会社大阪曹达 ,  株式会社名城毫微碳

Inventor： 平山大悟 ,  中川晓史 ,  谷山直司 ,  桥本刚 ,  高野庆

IPC: C01B32/162 ,  B01J31/22

Abstract: 本发明提供一种无需担心反应管的强度降低且能够高效率地制造高纯度的单层碳纳米管的新方法。一种碳纳米管的制造方法，是利用浮动催化剂化学气相沉积法(FC‑CVD法)的碳纳米管的制造方法，包括：在含铁催化剂和碱金属化合物的存在下，对碳纳米管的原料进行加热而生成碳纳米管的工序。

公开(公告)号：CN112533868B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201980050383.4

申请日：2019-07-26

Applicant: 株式会社大阪曹達 ,  株式会社名城毫微碳

Inventor： 岩佐成人 ,  平山大悟 ,  小田实生 ,  三木康史 ,  香川尚人 ,  桥本刚 ,  高野庆

IPC: C01B32/162 ,  B01J21/12

Abstract: 提供能够以高效率制造高纯度的单层碳纳米管的方法。一种利用气相流动CVD法的碳纳米管的制造方法，其具有：将Al2O3和SiO2的合计质量占总质量的90％以上、且Al2O3/SiO2的质量比处于1.0～2.3的范围的物质(A)加热至1200℃以上的步骤；和使将前述物质(A)加热至1200℃以上的环境中存在的气体与碳纳米管的原料气体接触，从而生成碳纳米管的步骤。

公开(公告)号：CN112533868A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201980050383.4

申请日：2019-07-26

Applicant: 株式会社大阪曹達 ,  株式会社名城毫微碳

Inventor： 岩佐成人 ,  平山大悟 ,  小田实生 ,  三木康史 ,  香川尚人 ,  桥本刚 ,  高野庆

IPC: C01B32/162 ,  B01J21/12

Abstract: 提供能够以高效率制造高纯度的单层碳纳米管的方法。一种利用气相流动CVD法的碳纳米管的制造方法，其具有：将Al2O3和SiO2的合计质量占总质量的90％以上、且Al2O3/SiO2的质量比处于1.0～2.3的范围的物质(A)加热至1200℃以上的步骤；和使将前述物质(A)加热至1200℃以上的环境中存在的气体与碳纳米管的原料气体接触，从而生成碳纳米管的步骤。

公开(公告)号：CN109153778A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780031441.X

申请日：2017-06-06

Applicant: 株式会社大阪曹达

Inventor： 小田实生 ,  平山大悟 ,  近田安史 ,  山崎敦朗

IPC: C08G65/08 ,  C08G65/14 ,  C08L71/02

Abstract: 本发明提供表面电阻值抑制为一定以下，并且形状稳定性良好的聚醚聚合物和含有该聚醚聚合物的组合物，以及成形体。所述聚醚聚合物，其特征在于，至少满足以下之一：在23℃、50％RH下的吸水率为1.5重量％以下，并且表面电阻值为1.0×1012(Ω/sq.)以下；以及，在10℃、15％RH下的表面电阻值及在35℃、85％RH下的表面电阻值均为1.0×108～1.0×1012(Ω/sq.)。