公开(公告)号：CN112533868B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201980050383.4

申请日：2019-07-26

Applicant: 株式会社大阪曹達 ,  株式会社名城毫微碳

Inventor： 岩佐成人 ,  平山大悟 ,  小田实生 ,  三木康史 ,  香川尚人 ,  桥本刚 ,  高野庆

IPC: C01B32/162 ,  B01J21/12

Abstract: 提供能够以高效率制造高纯度的单层碳纳米管的方法。一种利用气相流动CVD法的碳纳米管的制造方法，其具有：将Al2O3和SiO2的合计质量占总质量的90％以上、且Al2O3/SiO2的质量比处于1.0～2.3的范围的物质(A)加热至1200℃以上的步骤；和使将前述物质(A)加热至1200℃以上的环境中存在的气体与碳纳米管的原料气体接触，从而生成碳纳米管的步骤。

公开(公告)号：CN112533868A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201980050383.4

申请日：2019-07-26

Applicant: 株式会社大阪曹達 ,  株式会社名城毫微碳

Inventor： 岩佐成人 ,  平山大悟 ,  小田实生 ,  三木康史 ,  香川尚人 ,  桥本刚 ,  高野庆

IPC: C01B32/162 ,  B01J21/12

Abstract: 提供能够以高效率制造高纯度的单层碳纳米管的方法。一种利用气相流动CVD法的碳纳米管的制造方法，其具有：将Al2O3和SiO2的合计质量占总质量的90％以上、且Al2O3/SiO2的质量比处于1.0～2.3的范围的物质(A)加热至1200℃以上的步骤；和使将前述物质(A)加热至1200℃以上的环境中存在的气体与碳纳米管的原料气体接触，从而生成碳纳米管的步骤。