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公开(公告)号：CN101096753A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710127012.0
申请日：2007-06-15
Applicant: 株式会社堀场制作所 , 株式会社堀场STEC , 学校法人同志社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4486 , C23C16/45523
Abstract: 本发明的成膜装置是一种使液体原料汽化，使其堆积于基板上而成膜的成膜装置，其特征在于，具有：在内部保持基板(W)的成膜室(2)以及多个喷射阀(3)，该喷射阀配置在所述成膜室(2)的不同位置，将同一液体原料直接喷射到所述成膜室(2)内，通过使其减压沸腾而将所述液体原料汽化供给。采用本发明，能够实现成膜室的小型化，进而实现成膜装置的小型化，使成膜的膜厚分布良好，汽化量多而提高成膜的生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101809436A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880107211.8
申请日：2008-08-27
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N27/12 , G01N33/0037 , Y02A50/245
Abstract: 本发明的半导体式气体传感器及其制造方法，可明显增加对于低浓度气体的检测灵敏度，并可加快响应—回复速度，实现整体性能的显著提高。本发明的半导体式气体传感器具有：中央部具有中空部(1a)的Si基板(1)；以遮住所述中空部(1a)的状态布设在该基板(1)上的膜片构造的绝缘膜(2)；形成在该绝缘膜(2)上的加热器(4)；电阻测定用电极(6)以及形成在该电阻测定用电极(6)上的气体感应膜(7)，所述气体感应膜(7)由包含六方晶氧化钨结晶的单斜晶氧化钨构成。
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公开(公告)号：CN102004124A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010262374.2
申请日：2010-08-25
Applicant: 株式会社堀场制作所
CPC classification number: G01N33/0037 , Y02A50/245
Abstract: 本发明提供一种气体传感器，可以高灵敏度地检测数ppb水平的低浓度NO2。所述气体传感器至少包括：银催化剂构件(4)，在内部形成有样气能够通过的间隙，银至少在所述间隙的表面上露出；第一半导体式气体传感器元件(5)，形成有气体感应膜，该气体感应膜由n型氧化物半导体构成；以及主流动通道(2)，连通所述银催化剂构件和所述第一半导体式气体传感器元件，使所述样气从所述银催化剂构件流向所述第一半导体式气体传感器元件。
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公开(公告)号：CN85106301B
公开(公告)日：1988-12-21
申请号：CN85106301
申请日：1985-08-21
Applicant: 株式会社堀场制作所
Abstract: 本发明涉及端形多层干涉滤光器，本发明的目的是尽可能地控制多层膜发生在其切割边缘的分离，从而改进产品。在本发明中，设置有具有所需要尺寸的窗口的掩膜被固定在衬底上，以使蒸发镀敷材料不能附着到要切割的衬底部分上。根据本发明的端型多层干涉滤光器可用于检测器，例如红外分析仪的检测器。
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