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公开(公告)号：CN101673508B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200910160467.1
申请日：2003-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L33/08 , G09G3/3233 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种实现高孔径比的发光器件，其中图像的质量几乎不受TFT特性变化的影响。在像素部分中不提供大保持电容Cs，而是将驱动TFT的沟道长度和沟道宽度增加，并将沟道电容用作Cs。选择沟道长度显著大于沟道宽度，以改善饱和区的电流特性，并且将高VGS作用于驱动TFT以获得期望的漏极电流。因此，驱动TFT的漏极电流几乎不受阈值电压变化的影响。此外，设计像素时，导线被安排在隔离壁下面，TFT安排在导线下面，从而尽管增加驱动TFT的尺寸也可以避免减小孔径比。在3晶体管像素的情况下，开关TFT和擦除TFT线性排列，以进一步增加孔径比。
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公开(公告)号：CN101009322A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710085012.9
申请日：2002-11-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一个TFT，它的沟道长度比目前的长，具体地说，比目前的要长几十倍到几百倍，因而，能在比目前高得多的驱动栅电压下进入接通状态，并具有一个低的沟道电导gd。根据本发明，不但接通电流的简单离散而且其归一化离散可以被减小，除了在各TFT之间的离散的减少以外，OLED自身的离散，和由于OLED损坏引起的离散也可以被减少。
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公开(公告)号：CN1682571A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822452.6
申请日：2003-09-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L27/3244 , H01L27/3295 , H01L51/5253 , H01L51/529
Abstract: 本发明涉及一种使用发光元件的发光装置，它在作为显示器元件时使劣化最小化。本发明还涉及一种通过使用发光元件它能控制能耗和提高可靠性的发光装置，和涉及其生产方法。在该发光装置中，掺杂剂的浓度设定为不小于0.001重量％且不超过0.35重量％，具有阳极和开孔的光敏有机树脂膜位于第一钝化膜上，阴极、阳极和发光层在开孔中重叠，和有机树脂膜和阴极被第二钝化膜覆盖。
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公开(公告)号：CN102354709A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110330443.3
申请日：2002-11-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/12 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/3276 , H01L29/78675 , H01L29/78696 , H01L51/52
Abstract: 本发明涉及发光器件。本发明提供一个TFT，它的沟道长度比目前的长，具体地说，比目前的要长几十倍到几百倍，因而，能在比目前高得多的驱动栅电压下进入接通状态，并具有一个低的沟道电导gd。根据本发明，不但接通电流的简单离散而且其归一化离散可以被减小，除了在各TFT之间的离散的减少以外，OLED自身的离散，和由于OLED损坏引起的离散也可以被减少。
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公开(公告)号：CN101673508A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910160467.1
申请日：2003-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L33/08 , G09G3/3233 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种实现高孔径比的发光器件，其中图像的质量几乎不受TFT特性变化的影响。在像素部分中不提供大保持电容Cs，而是将驱动TFT的沟道长度和沟道宽度增加，并将沟道电容用作Cs。选择沟道长度显著大于沟道宽度，以改善饱和区的电流特性，并且将高VGS作用于驱动TFT以获得期望的漏极电流。因此，驱动TFT的漏极电流几乎不受阈值电压变化的影响。此外，设计像素时，导线被安排在隔离壁下面，TFT安排在导线下面，从而尽管增加驱动TFT的尺寸也可以避免减小孔径比。在3晶体管像素的情况下，开关TFT和擦除TFT线性排列，以进一步增加孔径比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101009322B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200710085012.9
申请日：2002-11-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一个TFT，它的沟道长度比目前的长，具体地说，比目前的要长几十倍到几百倍，因而，能在比目前高得多的驱动栅电压下进入接通状态，并具有一个低的沟道电导gd。根据本发明，不但接通电流的简单离散而且其归一化离散可以被减小，除了在各TFT之间的离散的减少以外，OLED自身的离散，和由于OLED损坏引起的离散也可以被减少。
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公开(公告)号：CN100530672C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN03822452.6
申请日：2003-09-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L27/3244 , H01L27/3295 , H01L51/5253 , H01L51/529
Abstract: 本发明涉及一种使用发光元件的发光装置，它在作为显示器元件时使劣化最小化。本发明还涉及一种通过使用发光元件它能控制能耗和提高可靠性的发光装置，和涉及其生产方法。在该发光装置中，掺杂剂的浓度设定为不小于0.001重量%且不超过0.35重量%，具有阳极和开孔的光敏有机树脂膜位于第一钝化膜上，阴极、阳极和发光层在开孔中重叠，和有机树脂膜和阴极被第二钝化膜覆盖。
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公开(公告)号：CN102354709B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201110330443.3
申请日：2002-11-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/12 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/3276 , H01L29/78675 , H01L29/78696 , H01L51/52
Abstract: 本发明涉及发光器件。本发明提供一个TFT，它的沟道长度比目前的长，具体地说，比目前的要长几十倍到几百倍，因而，能在比目前高得多的驱动栅电压下进入接通状态，并具有一个低的沟道电导gd。根据本发明，不但接通电流的简单离散而且其归一化离散可以被减小，除了在各TFT之间的离散的减少以外，OLED自身的离散，和由于OLED损坏引起的离散也可以被减少。
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公开(公告)号：CN1311562C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN02157583.5
申请日：2002-11-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/12 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/3276 , H01L29/78675 , H01L29/78696 , H01L51/52
Abstract: 本发明提供一个TFT，它的沟道长度比目前的长，具体地说，比目前的要长几十倍到几百倍，因而，能在比目前高得多的驱动栅电压下进入接通状态，并具有一个低的沟道电导gd。根据本发明，不但接通电流的简单离散而且其归一化离散可以被减小，除了在各TFT之间的离散的减少以外，OLED自身的离散，和由于OLED损坏引起的离散也可以被减少。
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公开(公告)号：CN1432984A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03102744.X
申请日：2003-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L33/08 , G09G3/3233 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种实现高孔径比的发光器件，其中图像的质量几乎不受TFT特性变化的影响。在像素部分中不提供大保持电容Cs，而是将驱动TFT的沟道长度和沟道宽度增加，并将沟道电容用作Cs。选择沟道长度显著大于沟道宽度，以改善饱和区的电流特性，并且将高VGS作用于驱动TFT以获得期望的漏极电流。因此，驱动TFT的漏极电流几乎不受阈值电压变化的影响。此外，设计像素时，导线被安排在隔离壁下面，TFT安排在导线下面，从而尽管增加驱动TFT的尺寸也可以避免减小孔径比。在3晶体管像素的情况下，开关TFT和擦除TFT线性排列，以进一步增加孔径比。
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