公开(公告)号：CN119653835A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411232760.5

申请日：2024-09-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  黑崎大辅 ,  田村志穂里 ,  肥冢纯一 ,  井口貴弘 ,  塩田栄二

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10K59/12 ,  H10K59/121

Abstract: 提供一种包括微型晶体管的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括第一至第三绝缘层、包括半导体层、第一至第四导电层、第四至第六绝缘层的晶体管。第一导电层、第一绝缘层、第三导电层、第五绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层及第二导电层依次重叠。第一至第三绝缘层、第二及第三导电层具有到达第一导电层的开口。第一绝缘层在开口内具有突出的部分，第四绝缘层与第一绝缘层的顶面、第五绝缘层的侧面及第二绝缘层的侧面接触。第三导电层的氧化物的第五绝缘层与第三导电层的顶面及侧面接触。该半导体层与第一及第二导电层的顶面、第四绝缘层的侧面接触。第六绝缘层与半导体层的顶面接触。第四导电层以与开口重叠的方式接触于第六绝缘层上。