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公开(公告)号：CN101000923B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200710002111.6
申请日：2007-01-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的目的在于提供一种显示器件，其中防止监视器元件部的漏光而不增加工序数目且不提高成本。本发明具有用于抑制发光元件的因温度变化、随时间的变化引起的影响的监视器元件、以及用于驱动所述监视器元件的TFT，用于驱动监视器元件的TFT设为不与监视器元件重叠。另外，还具有第一遮光膜及第二遮光膜，第一遮光膜设为与监视器元件的第一电极重叠，第二遮光膜通过形成在层间绝缘膜中的接触孔电连接于第一遮光膜。另外，接触孔形成为围绕监视器元件的第一电极的外周部分。
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公开(公告)号：CN101000923A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200710002111.6
申请日：2007-01-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的目的在于提供一种显示器件，其中防止监视器元件部的漏光而不增加工序数目且不提高成本。本发明具有用于抑制发光元件的因温度变化、随时间的变化引起的影响的监视器元件、以及用于驱动所述监视器元件的TFT，用于驱动监视器元件的TFT设为不与监视器元件重叠。另外，还具有第一遮光膜及第二遮光膜，第一遮光膜设为与监视器元件的第一电极重叠，第二遮光膜通过形成在层间绝缘膜中的接触孔电连接于第一遮光膜。另外，接触孔形成为围绕监视器元件的第一电极的外周部分。
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公开(公告)号：CN102254514B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110198585.9
申请日：2005-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 佐藤瑞季
IPC: G09G3/32
CPC classification number: H01L27/156
Abstract: 本发明揭示一种形成不增加工序数且不增加成本的遮光膜的显示装置。本发明的显示装置具有：抑制因发光元件的温度变化、经时变化引起的影响用的监视器元件，以及驱动该监视器元件用的TFT，所述驱动该监视器元件用的TFT与所述监视器元件不直接或间接重合地设置。又，本发明的显示装置具有与监视器元件的第1电极直接或间接重合地设置的第1遮光膜，以及与所述第1电极的外缘部直接或间接重合地设置的第2遮光膜。
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公开(公告)号：CN1784104B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200510128834.1
申请日：2005-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 佐藤瑞季
CPC classification number: H01L27/156
Abstract: 本发明揭示一种形成不增加工序数且不增加成本的遮光膜的显示装置。本发明的显示装置具有：抑制因发光元件的温度变化、经时变化引起的影响用的监视器元件，以及驱动该监视器元件用的TFT，所述驱动该监视器元件用的TFT与所述监视器元件不直接或间接重合地设置。又，本发明的显示装置具有与监视器元件的第1电极直接或间接重合地设置的第1遮光膜，以及与所述第1电极的外缘部直接或间接重合地设置的第2遮光膜。
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公开(公告)号：CN101901826A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010221617.8
申请日：2007-01-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的目的在于提供一种显示器件，防止监视器元件部的漏光而不增加工序数目且不提高成本。本发明具有用于抑制发光元件的因温度变化、随时间的变化引起的影响的监视器元件、以及用于驱动所述监视器元件的TFT，用于驱动监视器元件的TFT设为不与监视器元件重叠。另外，还具有第一遮光膜及第二遮光膜，第一遮光膜设为与监视器元件的第一电极重叠，第二遮光膜通过形成在层间绝缘膜中的接触孔电连接于第一遮光膜。另外，接触孔形成为围绕监视器元件的第一电极的外周部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101901826B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201010221617.8
申请日：2007-01-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的目的在于提供一种显示器件，防止监视器元件部的漏光而不增加工序数目且不提高成本。本发明具有用于抑制发光元件的因温度变化、随时间的变化引起的影响的监视器元件、以及用于驱动所述监视器元件的TFT，用于驱动监视器元件的TFT设为不与监视器元件重叠。另外，还具有第一遮光膜及第二遮光膜，第一遮光膜设为与监视器元件的第一电极重叠，第二遮光膜通过形成在层间绝缘膜中的接触孔电连接于第一遮光膜。另外，接触孔形成为围绕监视器元件的第一电极的外周部分。
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公开(公告)号：CN102522373A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201210004871.1
申请日：2007-07-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 佐藤瑞季
IPC: H01L21/77
CPC classification number: H01L27/3276 , G02F1/1362 , H01L27/10805 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/156 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L29/786 , H01L29/78654 , H01L29/78663 , H01L29/78672 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，在形成在相邻的像素电极(或元件的电极)之间的布线下方形成具有多栅结构的TFT的沟道形成区域。另外，将多个沟道形成区域的沟道宽度的方向设定为与在所述像素电极形状中的长边方向平行。另外，通过使沟道宽度的长度大于沟道长度的长度，来扩大沟道形成区域的面积。
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公开(公告)号：CN101110422B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200710136692.2
申请日：2007-07-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 佐藤瑞季
IPC: H01L27/02 , H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/3276 , G02F1/1362 , H01L27/10805 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/156 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L29/786 , H01L29/78654 , H01L29/78663 , H01L29/78672 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的在于提供一种开口率高的显示装置或元件面积大的半导体装置。本发明的技术要点如下：在形成在相邻的像素电极(或元件的电极)之间的布线下方形成具有多栅结构的TFT的沟道形成区域。另外，将多个沟道形成区域的沟道宽度的方向设定为与在所述像素电极形状中的长边方向平行。另外，通过使沟道宽度的长度大于沟道长度的长度，来扩大沟道形成区域的面积。
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公开(公告)号：CN1953021B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200610136264.5
申请日：2006-10-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02F1/0123 , G02F2001/134345 , G02F2201/58 , G09G3/3275 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/043 , H01L27/3269
Abstract: 发光元件具有根据周围温度(以下称为环境温度)改变其电阻值(内部电阻值)的性质。本发明的目的在于使监视元件小型化，所述监视元件修正发光元件的电流值的变动造成的影响，所述发光元件的电流值的变动是环境温度的变化和随时间变化所造成的。在本发明中，像素由多个子像素构成，提供在每个子像素中的发光元件的面积不同，并且监视元件的面积与子像素中的任何的发光元件的面积相同，从而利用监视元件对像素的发光进行修正。
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公开(公告)号：CN1784104A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510128834.1
申请日：2005-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 佐藤瑞季
CPC classification number: H01L27/156
Abstract: 本发明揭示一种形成不增加工序数且不增加成本的遮光膜的显示装置。本发明的显示装置具有：抑制因发光元件的温度变化、经时变化引起的影响用的监视器元件，以及驱动该监视器元件用的TFT，所述驱动该监视器元件用的TFT与所述监视器元件不重叠地设置。又，本发明的显示装置具有与监视器元件的第1电极重叠地设置的第1遮光膜，以及与所述第1电极的外缘部重叠地设置的第2遮光膜。
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