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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101448740B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200780018780.0
申请日：2007-05-22
Applicant: 株式会社丰田中央研究所
CPC classification number: C23C16/26 , H01M8/0206 , H01M8/0213 , H01M8/0228 , Y02P70/56 , Y10T428/30 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的非晶碳膜是包含碳和氢的非晶碳膜，其中该非晶碳膜包含30原子％以下且大于0原子％的氢，并且当将碳的总量作为100原子％时，具有sp2杂化轨道的碳的存在量为70原子％以上且小于100原子％。通过控制氢、Csp3等的含量以增加包含Csp2的结构，从而对非晶碳膜赋予导电性。通过利用包含如下一种或多种气体的反应气体的等离子体CVD方法，可以形成该非晶碳膜，所述一种或多种气体选自包含具有sp2杂化轨道的碳的碳环化合物气体、和包含具有sp2杂化轨道的碳以及硅和/或氮的杂环化合物气体。通过在基材的表面上形成非晶碳膜可得到导电性部件。
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公开(公告)号：CN101448740A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780018780.0
申请日：2007-05-22
Applicant: 株式会社丰田中央研究所
CPC classification number: C23C16/26 , H01M8/0206 , H01M8/0213 , H01M8/0228 , Y02P70/56 , Y10T428/30 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的非晶碳膜是包含碳和氢的非晶碳膜，其中该非晶碳膜包含30原子％以下且大于0原子％的氢，并且当将碳的总量作为100原子％时，具有sp2杂化轨道的碳的存在量为70原子％以上且小于100原子％。通过控制氢、Csp3等的含量以增加包含Csp2的结构，从而对非晶碳膜赋予导电性。通过利用包含如下一种或多种气体的反应气体的等离子体CVD方法，可以形成该非晶碳膜，所述一种或多种气体选自包含具有sp2杂化轨道的碳的碳环化合物气体、和包含具有sp2杂化轨道的碳以及硅和/或氮的杂环化合物气体。通过在基材的表面上形成非晶碳膜可得到导电性部件。
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公开(公告)号：CN102554214A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110402851.5
申请日：2011-12-07
Applicant: 株式会社丰田中央研究所
Abstract: 本发明涉及形变材料、形变材料用原料、以及其制造方法。根据本发明，可以提供一种高品质的形变材料用原料，其能够以比较低的成本防止混杂。此外，当将通过对碎片进行加压成形而获得的成形体用作挤出材料用坯料等时，可以提供以过饱和状态溶解有合金元素而不会导致凝固偏析等的均质形变材料用坯料，且可以稳定地提供具有高特性的形变材料。
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公开(公告)号：CN119452501A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380049994.3
申请日：2023-06-19
Applicant: 株式会社丰田中央研究所
IPC: H01M10/54 , B09B5/00 , B09B101/16
Abstract: 分离方法包括分离工序，对具备集电体（52）和电极合材（54）的处理对象电极（50），在水（处理液32）中一边扫描超声波的频率一边进行超声波处理，而分离集电体（52）与电极合材（54）。分离装置（10）具备：分离部（60），对处理对象电极（50）在水中进行超声波处理，而分离集电体（52）和电极合材（54）；及控制部（15），控制分离部（60），以使其一边扫描超声波的频率一边进行超声波处理。
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公开(公告)号：CN102554214B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110402851.5
申请日：2011-12-07
Applicant: 株式会社丰田中央研究所
Abstract: 本发明涉及形变材料、形变材料用原料、以及其制造方法。根据本发明，可以提供一种高品质的形变材料用原料，其能够以比较低的成本防止混杂。此外，当将通过对碎片进行加压成形而获得的成形体用作挤出材料用坯料等时，可以提供以过饱和状态溶解有合金元素而不会导致凝固偏析等的均质形变材料用坯料，且可以稳定地提供具有高特性的形变材料。
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