公开(公告)号：CN101448740B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200780018780.0

申请日：2007-05-22

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 伊关崇 ,  山田由香 ,  中西和之 ,  大岛正 ,  森广行 ,  堀江俊男 ,  铃木宪一 ,  北原学

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01M8/02

CPC classification number: C23C16/26 ,  H01M8/0206 ,  H01M8/0213 ,  H01M8/0228 ,  Y02P70/56 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明的非晶碳膜是包含碳和氢的非晶碳膜，其中该非晶碳膜包含30原子％以下且大于0原子％的氢，并且当将碳的总量作为100原子％时，具有sp2杂化轨道的碳的存在量为70原子％以上且小于100原子％。通过控制氢、Csp3等的含量以增加包含Csp2的结构，从而对非晶碳膜赋予导电性。通过利用包含如下一种或多种气体的反应气体的等离子体CVD方法，可以形成该非晶碳膜，所述一种或多种气体选自包含具有sp2杂化轨道的碳的碳环化合物气体、和包含具有sp2杂化轨道的碳以及硅和/或氮的杂环化合物气体。通过在基材的表面上形成非晶碳膜可得到导电性部件。

公开(公告)号：CN101448740A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780018780.0

申请日：2007-05-22

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 伊关崇 ,  山田由香 ,  中西和之 ,  大岛正 ,  森广行 ,  堀江俊男 ,  铃木宪一 ,  北原学

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01M8/02

CPC classification number: C23C16/26 ,  H01M8/0206 ,  H01M8/0213 ,  H01M8/0228 ,  Y02P70/56 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明的非晶碳膜是包含碳和氢的非晶碳膜，其中该非晶碳膜包含30原子％以下且大于0原子％的氢，并且当将碳的总量作为100原子％时，具有sp2杂化轨道的碳的存在量为70原子％以上且小于100原子％。通过控制氢、Csp3等的含量以增加包含Csp2的结构，从而对非晶碳膜赋予导电性。通过利用包含如下一种或多种气体的反应气体的等离子体CVD方法，可以形成该非晶碳膜，所述一种或多种气体选自包含具有sp2杂化轨道的碳的碳环化合物气体、和包含具有sp2杂化轨道的碳以及硅和/或氮的杂环化合物气体。通过在基材的表面上形成非晶碳膜可得到导电性部件。