公开(公告)号：CN100530586C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200310123916.8

申请日：2003-12-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  信越半导体株式会社 ,  株式会社尼康

Inventor： 藤泽忠仁 ,  井上壮一 ,  小林诚 ,  市川雅志 ,  萩原恒幸 ,  児玉贤一

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01B21/30 ,  G01B11/306 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 揭示了晶片平坦度评价方法。在该晶片平坦度评价方法中，测量晶片的表面形状及其背面形状。将测量的晶片表面划分为段。然后，根据评价的段的位置来选择平坦度的计算方法，从而获得晶片面内的平坦度。

公开(公告)号：CN1510732A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310123916.8

申请日：2003-12-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  信越半导体株式会社 ,  株式会社尼康

Inventor： 藤泽忠仁 ,  井上壮一 ,  小林诚 ,  市川雅志 ,  萩原恒幸 ,  児玉贤一

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01B21/30 ,  G01B11/306 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 揭示了晶片平坦度评价方法。在该晶片平坦度评价方法中，测量晶片的表面形状及其背面形状。将测量的晶片表面划分为段。然后，根据评价的段的位置来选择平坦度的计算方法，从而获得晶片面内的平坦度。