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发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN118693028A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202310893169.3

申请日：2023-07-20

Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 片廻陆 , 小岛秀春 , 铃木健之

IPC: H01L23/495 , H01L23/49 , H01L23/544

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置。本实施方式的半导体装置具备引线框架和半导体芯片。所述引线框架具有框架主面和设于所述框架主面的框架凸部。所述半导体芯片具有半导体层和设于所述半导体层的底面并与所述框架凸部接合的电极。所述半导体芯片的所述电极具有包围所述框架凸部的突起部，所述突起部的外侧面与所述半导体层的侧面共面。

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