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    半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN114583930A

    公开(公告)日：2022-06-03

    申请号：CN202110890051.6

    申请日：2021-08-04

    Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

    Inventor： 林庸行

    IPC: H02M1/088 ,  H02M1/32 ,  H02M3/156

    Abstract: 本发明涉及供一种半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1电路，构成为生成第1电压；第2电路，构成为将上述生成的第1电压传输至第1端子；以及第3电路，构成为生成第1信号，该第1信号在上述第1端子的电压为阈值电压以上的情况下成为第1电平，在上述第1端子的电压小于上述阈值电压的情况下成为第2电平。上述第2电路构成为，基于上述第2电平的第1信号而停止上述第1电压的传输。

    开关装置
    3.
    发明公开
    开关装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN116683900A

    公开(公告)日：2023-09-01

    申请号：CN202210778504.0

    申请日：2022-06-30

    Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

    Inventor： 林庸行

    IPC: H03K17/687 ,  H03K17/041 ,  H03K17/284

    Abstract: 提供开关装置，能够防止电流急剧地流出，并且能够快速进行起动。开关装置具备第一P型MOS晶体管、第一控制电路以及第二控制电路。第一P型MOS晶体管的栅极以及第一控制电路、第二控制电路电连接于第一节点。第一控制电路构成为从第一P型MOS晶体管为截止状态的第一时刻到第二时刻降低第一节点的电压。第二控制电路构成为从第三时刻到第一P型MOS晶体管为导通状态的第四时刻降低第一节点的电压。第二时刻是比第一时刻延后的时刻。第四时刻是比第二时刻以及第三时刻延后的时刻。第一P型MOS晶体管在第一时间的期间内变为导通状态。第一控制电路的每单位时间降低的第一节点的电压比第二控制电路的每单位时间降低的第一节点的电压大。

    半导体电路
    4.
    发明公开
    半导体电路 审中-实审

    公开(公告)号：CN118693975A

    公开(公告)日：2024-09-24

    申请号：CN202310862749.6

    申请日：2023-07-14

    Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

    Inventor： 渡边昌敏 ,  林庸行 ,  户田修二

    IPC: H02J9/06

    Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体电路。实施方式的半导体电路包括：开关电路(11)，包括控制第一电源电压(VIN1)的输出的第一开关(SWA)和控制第二电源电压(VIN2)的输出的第二开关(SWA)，切换第一及第二电源电压(VIN1、VIN2)；以及控制电路(15)，接收与第一电源电压(VIN1)的输入建立关联的第一控制信号(EN1)及第二电源电压(VIN2)的输入所关联的第二控制信号(EN2)，检测第一及第二电源电压(VIN1、VIN2)的输入，基于第一及第二控制信号(EN1、EN2)和第一及第二电源电压(VIN1、VIN2)的检测结果，控制开关电路(11)的动作模式。

    半导体装置
    5.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN115706579A

    公开(公告)日：2023-02-17

    申请号：CN202111610609.7

    申请日：2021-12-27

    Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

    Inventor： 林庸行

    IPC: H03K17/687

    Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第1开关元件，具有被施加第1电压的第1端、与第1节点电连接的第2端和栅极；第2开关元件，具有被施加第2电压的第1端以及与第1节点电连接的第2端和栅极；第3开关元件，具有被施加第2电压的第1端、与第2节点电连接的第2端、与第1节点连接的栅极；第1电流源，与第1节点电连接；第1元件，与第2节点电连接；第4开关元件，具有与第2节点连接的栅极；以及第1端子，与第4开关元件的第1端电连接，输出基于第2节点的电压的信号。

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