公开(公告)号：CN115841999A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202210076831.1

申请日：2022-01-24

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 松尾一辉 ,  新田峻介

IPC: H01L23/498

Abstract: 实施方式提供一种高性能的半导体装置。半导体装置具备：裸片焊盘，具有上表面；半导体芯片，设置在上表面之上；第一焊料，将上表面与半导体芯片接合；第一金属膜，设置在半导体芯片之上；第一绝缘膜，设置在第一金属膜之上，并具有第一开口部；连接器，具有第一端部和第二端部，第一端部设置在第一开口部内的第一金属膜之上；第二金属膜，设置在第一开口部内，具有设置为包围第一金属膜的与第一端部接触的部分的多个第二开口部，并设置于连接器的第一端部与第一金属膜之间；多个第二绝缘膜，分别在多个第二开口部内与第一金属膜直接相接设置；以及第二焊料，设置在第二金属膜与第一端部之间，将第一端部与第二金属膜接合。

公开(公告)号：CN118693033A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202310864440.0

申请日：2023-07-14

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 松尾一辉 ,  新井雅俊 ,  藤本理惠

IPC: H01L23/498

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置。一种半导体装置，其具有：金属膜，设置于半导体芯片之上；绝缘膜，设置于金属膜之上，具有开口部；接合材料，设置于开口部内的金属膜之上，与金属膜接合；以及连接器，所述连接器具有：接合面；以及环状槽，设置于接合面，沿着接合面的外周内径为外径的60％以上且90％以下，连接器的接合面与接合材料接合。

公开(公告)号：CN117712069A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202310024606.8

申请日：2023-01-09

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 新井雅俊 ,  松尾一辉 ,  泉泽优

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/492 ,  H01L23/13

Abstract: 实施方式涉及半导体装置。半导体装置具备基底部件、半导体芯片和第一导电部件。所述基底部件具有第一面和与所述第一面相反的一侧的第二面，包含设于所述第二面侧的凸部。所述半导体芯片经由第一连接部件安装在所述第二面上。所述半导体芯片具有第一电极、第二电极、控制焊盘和半导体部，所述半导体部位于所述第一电极与所述第二电极之间以及所述第一电极与所述控制焊盘之间。所述第一连接部件连接于所述第一电极，所述控制焊盘与所述第二电极分离地设置。所述第一导电部件经由第二连接部件接合在所述第二电极上。所述基底部件的所述凸部位于所述第二连接部件的沿着所述第二电极与所述控制焊盘之间的空间的侧面的下方。

公开(公告)号：CN118676104A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202310851151.7

申请日：2023-07-12

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 藤本理惠 ,  松尾一辉 ,  泉泽优

IPC: H01L23/498

Abstract: 实施方式涉及半导体装置。半导体装置具有金属基座、从所述金属基座分离的端子、半导体芯片、连接部件和导电部件。所述半导体芯片具有与所述金属基座连接的背面侧电极和设置于与所述背面侧电极相反侧的表面上的表面侧电极。所述连接部件具有与所述半导体芯片的所述表面侧电极连接的第1端部和与所述端子连接的第2端部。所述导电部件设置于所述半导体芯片的所述表面侧电极上，将所述表面侧电极的未与所述连接部件的所述第1端部连接的区域覆盖。