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发明公开
半导体装置及半导体装置的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN118380391A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202310851154.0

申请日：2023-07-12

Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 神谷俊佑 , 村上和裕

IPC: H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/56

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备导电部件、焊料层、芯片、覆盖膜、绝缘部和密封树脂。所述焊料层设于所述导电部件之上。所述芯片设于所述焊料层之上。所述覆盖膜为绝缘性。所述覆盖膜设于所述芯片之上。所述覆盖膜包含第一覆盖部分。所述第一覆盖部分覆盖所述芯片的上表面的外周端。所述绝缘部设于所述覆盖膜之上。所述密封树脂对所述焊料层、所述芯片、所述覆盖膜及所述绝缘部进行密封。

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