公开(公告)号：CN120019477A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202380070983.3

申请日：2023-11-14

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 新垣耀平 ,  柴田武

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/265 ,  H10D64/62 ,  H10D30/60 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明提供一种能够提高特性的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括：在包括含有SiC且包含第一面的基板的结构体的所述第一面形成包含第一金属元素的第一金属层。所述制造方法包括：经由所述第一金属层向所述第一面注入包含选自He、Ne、Ar、Kr、Xe、Rn及Si中的至少1种的第一元素。所述制造方法包括：在所述注入之后，经由所述第一金属层对所述第一面照射激光。

公开(公告)号：CN118630068A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410028944.3

申请日：2024-01-09

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 高木繁昭 ,  吉桥英生 ,  蔵口友美 ,  平田直文 ,  新垣耀平

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；碳化硅层，设置在第一电极与第二电极之间，包含n型的第一碳化硅区域；氮化钛层，设置在第一电极与第一碳化硅区域之间；以及中间层，设置在氮化钛层与第一碳化硅区域之间，包含氮化硅。