公开(公告)号：CN111668313A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN201910675634.X

申请日：2019-07-25

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 和泉正人 ,  中村和敏

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置，具备半导体部和设置在上述半导体部的表面上的电极。上述半导体部包含第一层和设置在上述第一层与上述电极之间的第二层。上述第二层具有在沿着上述表面的方向上排列的第一区域以及第二区域。上述第一区域具有与上述电极接触的表面，上述第二区域包含浓度比上述第一区域中的上述表面的第二导电型杂质浓度低的第二导电型杂质。上述第二层在上述第二区域的第一位置具有第二导电型杂质的第一浓度，且上述第一位置与上述电极之间的第二位置处的第二导电型杂质的第二浓度比上述第一浓度低。

公开(公告)号：CN110854207A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201910011234.9

申请日：2019-01-07

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 和泉正人

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 实施方式的半导体装置具备第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层和第2导电型的第3半导体层。第2半导体层及第3半导体层设置在第1半导体层上。第2半导体层具有将其一部分有选择地除去的凹槽部和将其包围的外缘部。第3半导体层在沿着第2半导体层的凹槽部与第1半导体层之间的第1边界的第1方向上与第2半导体层隔开配置。与第1边界交叉的第2方向上的第1边界附近的第2导电型杂质分布、和外缘部与第1半导体层之间的第2边界附近处的第2方向上的第2导电型杂质分布大致相同，第2边界附近处的第2方向上的第2导电型杂质分布和第1半导体层与第3半导体层之间的第3边界附近处的第2方向的第2导电型杂质分布大致相同。