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公开(公告)号：CN116825839A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210773477.8
申请日：2022-07-01
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域；第一导电型的第三半导体区域；第一导电部，隔着第一绝缘部设于第一半导体区域中且包含第二导电型的杂质；第一栅极电极，隔着第一层间绝缘部设于第一导电部之上，在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上隔着第一栅极绝缘层与第二半导体区域面对，包含第一导电型的杂质；及第二电极，设于第二及第三半导体区域之上且与第二、第三半导体区域以及第一导电部电连接。第一层间绝缘部中的第一导电型的杂质浓度比第一绝缘部中的第一导电型的杂质浓度高。第一层间绝缘部中的第二导电型的杂质浓度比第一绝缘部中的第二导电型的杂质浓度高。
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