半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN114203817A

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202110646851.3

    申请日:2021-06-10

    Abstract: 实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、第一导电型的第三半导体层、第一导电型的第一有源区域、以及第三电极。所述第一半导体层设于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第二半导体层设于所述第一半导体层之上。所述第一有源区域在第二方向上与所述第二半导体层邻接。所述第一有源区域具有所述第一上部与第二下部。所述第一下部在所述第二方向上的宽度的平均值比所述第一上部在所述第二方向上的宽度的平均值大。所述第三半导体层与所述第二电极电连接。所述第三电极隔着绝缘膜设于与所述第一有源区域之间。

    半导体装置
    2.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN119999352A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202480003857.0

    申请日:2024-02-07

    Abstract: 实施方式提供能够获得稳定的特性的半导体装置。根据实施方式,半导体装置包含元件部。所述元件部包含:半导体部件,包含焊盘部半导体区域及单元半导体区域;栅极电极;以及栅极焊盘部,与所述栅极电极电连接。所述栅极焊盘部包含第一导电部件和所述焊盘部半导体区域与所述第一导电部件之间的第一部件。所述第一部件包含沿与从所述焊盘部半导体区域向所述第一导电部件的第一方向交叉的第二方向排列的第一区域及第二区域。所述第一导电部件的至少一部分位于所述第一区域与所述第二区域之间。所述第一导电部件的所述至少一部分的第一表面包含第一凹凸。

    电力用半导体装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102694028B

    公开(公告)日:2015-09-16

    申请号:CN201210051614.3

    申请日:2012-03-02

    Abstract: 实施方式的电力用半导体装置具备:第1导电型的第1半导体层(1);设置于其上的第1导电型的第2半导体层(3);设置于第2半导体层中的多个柱状的第2导电型的第3半导体层(4);设置于第3半导体层的上端部的多个岛状的第2导电型的第4半导体层(5);多个第1导电型的第5半导体层(6);多个第2导电型的第6半导体层(8);栅电极(11);层间绝缘膜(12);第1电极(13)以及第2电极(14)。第5半导体层设置于第4半导体层的表面。第6半导体层将相邻的两个第4半导体层相互连接起来。第1电极与第1半导体层连接。第2电极通过层间绝缘膜与栅电极绝缘,且经由栅电极的开口部与第4半导体层以及第5半导体层连接。

    电力用半导体装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102694028A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201210051614.3

    申请日:2012-03-02

    Abstract: 实施方式的电力用半导体装置具备:第1导电型的第1半导体层(1);设置于其上的第1导电型的第2半导体层(3);设置于第2半导体层中的多个柱状的第2导电型的第3半导体层(4);设置于第3半导体层的上端部的多个岛状的第2导电型的第4半导体层(5);多个第1导电型的第5半导体层(6);多个第2导电型的第6半导体层(8);栅电极(11);层间绝缘膜(12);第1电极(13)以及第2电极(14)。第5半导体层设置于第4半导体层的表面。第6半导体层将相邻的两个第4半导体层相互连接起来。第1电极与第1半导体层连接。第2电极通过层间绝缘膜与栅电极绝缘,且经由栅电极的开口部与第4半导体层以及第5半导体层连接。

Patent Agency Ranking