公开(公告)号：CN104916666A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410424591.5

申请日：2014-08-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 罇贵子 ,  M·戈帕尔

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/28 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/452 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7786

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括第1半导体层和第1电极。上述第1半导体层包括含有第1金属的氮化物半导体。上述第1电极包括第1区域、第2区域及第3区域。上述第1区域含有上述第1金属与相对于上述第1半导体层具有还原性的第2金属的化合物、或上述第1金属与上述第2金属的合金。上述第2区域设置在上述第1半导体层与上述第1区域之间，含有上述第1金属及上述第2金属。上述第3区域含有上述第1金属与氮的化合物，设置在上述第1半导体层与上述第2区域之间。上述第1电极与上述第1半导体层接触地设置。