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公开(公告)号:CN105976865A
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201610133719.1
申请日:2016-03-09
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的实施方式提供一种可提升运行可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备:第1块,具备包含第1存储单元及第1选择晶体管的第1存储串;第2块,具备包含第2存储单元及第2选择晶体管的第2存储串;源极线,电连接于第1存储串及第2存储串;以及控制部,在对第1存储单元进行数据写入的编程运行时,对第2选择晶体管的栅极电极施加源极线的电压。