公开(公告)号：CN1628254A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN03803322.4

申请日：2003-02-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本间克久 ,  会田博之 ,  伊藤健一 ,  藤泽晶子 ,  鬼桥浩志

IPC: G01T1/20

CPC classification number: G01T1/2018

Abstract: 在具有设置在单位像素上的将X射线变换成光的闪烁层38、将在闪烁层38上变换成的光作为电荷贮存的贮存用电容器15、及将相邻单位像素的闪烁层38间分割的隔壁层39的X射线检测器中，闪烁层38含荧光材料I，隔壁层含光学特性和荧光材料IP1不同的第二种荧光体P2，而且第二种荧光体P2发出的荧光波长具有和荧光材料IP1发出的最短的荧光波长相等或比其长的成分。

公开(公告)号：CN100335914C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN03803322.4

申请日：2003-02-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本间克久 ,  会田博之 ,  伊藤健一 ,  藤泽晶子 ,  鬼桥浩志

IPC: G01T1/20 ,  A61B6/00

CPC classification number: G01T1/2018

Abstract: 在具有设置在单位像素上的将X射线变换成光的闪烁层38、将在闪烁层38上变换成的光作为电荷贮存的贮存用电容器15、及将相邻单位像素的闪烁层38间分割的隔壁层39的X射线检测器中，闪烁层38含荧光材料I，隔壁层含光学特性和荧光材料IP1不同的第二种荧光体P2，而且第二种荧光体P2发出的荧光波长具有和荧光材料IP1发出的最短的荧光波长相等或比其长的成分。

公开(公告)号：CN1954442A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200580015270.9

申请日：2005-05-12

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子管器件株式会社

Inventor： 御子柴佳子 ,  会田博之 ,  川崎泰明 ,  鬼桥浩志 ,  本间克久

IPC: H01L31/115 ,  G01T1/24 ,  H01L27/14 ,  H04N5/32

CPC classification number: H04N5/32 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14676 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/02725 ,  H01L31/085

Abstract: 本发明提供能够提高光导电层的检测灵敏度的X射线检测器。使光导电层中含有重金属卤素化合物及卤素。能够形成抑制因X射线照射而引起的暗电流特性、灵敏度特性、以及余像特性的变化而稳定的光导电层。若在光导电层中含有剩余的卤素，则能够抑制在X射线照射时容易产生的重金属卤素化合物晶体结构中的卤素解离、以及伴随该解离而产生的晶体缺陷。卤素的解离，将在该光导电层中产生缺陷能级，成为电荷的深阱，对暗电流特性、灵敏度特性、以及余像特性产生影响。若光导电层中的剩余卤素过多，则卤素析出在晶界。妨碍光导电层的微晶间的导电性，大大妨碍X导电层的灵敏度特性、以及余像特性，余像将延长。