公开(公告)号：CN1263136C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN02143725.4

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丹沢徹 ,  梅沢明 ,  高野芳德 ,  志贺仁 ,  渥美滋 ,  田浦忠行

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C16/0408 ,  G11C16/08 ,  G11C16/26 ,  G11C29/70

Abstract: 一种非易失性半导体存储器，其特征在于具有：第1和第2非易失性存储片；设置在上述第1和第2非易失性存储片间的区域，分别与上述第1非易失性存储片的位线和上述第2非易失性存储片的位线选择性连接的读取用数据线以及写入校验用数据线，上述读取用数据线和写入校验用数据线为上述第1和第2非易失性存储片共有；与上述读取用数据线连接的读取用传感放大器；与上述写入校验用数据线连接的写入校验用传感放大器；以及与上述写入校验用数据线连接的写入电路。

公开(公告)号：CN1405888A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN02142963.4

申请日：2002-09-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丹沢徹 ,  高野芳德

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/10 ,  G11C11/34 ,  H01L29/76

CPC classification number: G11C5/147

Abstract: 公开了一种恒定电压产生电路，其特征在于，该恒定电压产生电路包括：第1恒定电流产生电路，包含第1晶体管和第2晶体管，产生依赖于第1晶体管和第2晶体管的阈值电压的差决定的第1电压和第1电流；第2恒定电流产生电路，产生与所述第1电流成正比的第2电流；以及电压产生电路，包含将栅极和漏极连接的第3晶体管，在所述第2电流流过该第3晶体管时产生第2电压。

公开(公告)号：CN1208834C

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN02142963.4

申请日：2002-09-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丹沢徹 ,  高野芳德

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/10 ,  G11C11/34 ,  H01L29/76

CPC classification number: G11C5/147

Abstract: 公开了一种恒定电压产生电路，其特征在于，该恒定电压产生电路包括：第1恒定电流产生电路，包含第1晶体管和第2晶体管，产生依赖于第1晶体管和第2晶体管的阈值电压的差决定的第1电压和第1电流；第2恒定电流产生电路，产生与所述第1电流成正比的第2电流；以及电压产生电路，包含将栅极和漏极连接的第3晶体管，在所述第2电流流过该第3晶体管时产生第2电压。

公开(公告)号：CN1404151A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02143725.4

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丹沢徹 ,  梅沢明 ,  高野芳德 ,  志贺仁 ,  渥美滋 ,  田浦忠行

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C16/0408 ,  G11C16/08 ,  G11C16/26 ,  G11C29/70

Abstract: 一种非易失性半导体存储器，具有第1和第2非易失性存储片、读取用数据线以及写入校验用数据线、读取用传感放大器、写入校验用传感放大器、以及写入电路。上述各数据线设置在第1和第2非易失性存储片间的区域。分别选择性连接到第1非易失性存储片的位线和第2非易失性存储片的位线。上述读取用传感放大器连接到读取用数据线。写入校验用传感放大器和上述写入电路分别连接到写入校验用数据线。