公开(公告)号：CN1828941A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610019828.7

申请日：2006-03-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 鉾本吉孝 ,  高野彰夫 ,  田中文悟

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/41 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775

Abstract: 提供一种能够减小反馈电容的半导体器件。作为功率MOSFET的半导体器件(1)，在单元(9)侧形成漏电极(45)，在硅衬底(3)的背面形成源电极(7)。使源区(13)和基区(25)短路的短路电极(35)的一部分，隔着第一层间绝缘膜(31)位于栅电极(17)的上表面(53)之上。关于从源区(13)向漏区(11)的方向，使短路电极(35)的侧面(47)的位置与栅电极(17)的漏区侧的侧面(51)的位置相同。

公开(公告)号：CN100485965C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610019828.7

申请日：2006-03-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 鉾本吉孝 ,  高野彰夫 ,  田中文悟

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/41 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775

Abstract: 提供一种能够减小反馈电容的半导体器件。作为功率MOSFET的半导体器件(1)，在单元(9)侧形成漏电极(45)，在硅衬底(3)的背面形成源电极(7)。使源区(13)和基区(25)短路的短路电极(35)的一部分，隔着第一层间绝缘膜(31)位于栅电极(17)的上表面(53)之上。关于从源区(13)向漏区(11)的方向，使短路电极(35)的侧面(47)的位置与栅电极(17)的漏区侧的侧面(51)的位置相同。