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公开(公告)号：CN1591920A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074977.4
申请日：2004-09-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K1/0274 , G02B6/43 , H01L25/167 , H01L33/486 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01S5/005 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/423 , H05K1/181 , H05K3/4602 , H01L2924/00 , H01L2224/48
Abstract: 提供一种光半导体装置及光信号输入输出装置。该光半导体装置(1)具有以下部分：至少一个光半导体元件(2，4)；至少一个半导体集成电路元件(3)；以及电路布线基板(10)。电路布线基板(10)至少有一个光输入输出用贯通孔(7)、以及电气连接用贯通孔(6s)。上述光半导体元件(2)通过上述光输入输出用贯通孔(7)，在上述第二面一侧进行光的输入输出。上述半导体集成电路元件(3)通过上述电气连接用贯通孔(6s)内埋设的布线层(6As)，与上述电极(5s)电气导通。将上述光输入输出用贯通孔(7)设在上述电路布线基板(10)中的非应力区域上。
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公开(公告)号：CN1614836A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410092250.9
申请日：2004-11-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01S5/18355 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/1833 , H01S5/18338 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S2301/176
Abstract: 本发明通过在晶面指数为(100)面等的普通衬底上制作的表面发光型半导体激光元件中，在台面内部的Al高浓度层部分形成非对称的选择氧化结构，对有源层中心部分施加各向异性的应力，从而提高偏振控制性。
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公开(公告)号：CN100438089C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410074977.4
申请日：2004-09-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K1/0274 , G02B6/43 , H01L25/167 , H01L33/486 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01S5/005 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/423 , H05K1/181 , H05K3/4602 , H01L2924/00 , H01L2224/48
Abstract: 本发明提供一种光半导体装置及光信号输入输出装置。该光半导体装置(1)具有以下部分：至少一个光半导体元件(2，4)；至少一个半导体集成电路元件(3)；以及电路布线基板(10)。电路布线基板(10)至少有一个光输入输出用贯通孔(7)、以及电气连接用贯通孔(6s)。上述光半导体元件(2)通过上述光输入输出用贯通孔(7)，在上述第二面一侧进行光的输入输出。上述半导体集成电路元件(3)通过上述电气连接用贯通孔(6s)内埋设的布线层(6As)，与上述电极(5s)电气导通。将上述光输入输出用贯通孔(7)设在上述电路布线基板(10)中的非应力区域上。
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