公开(公告)号：CN1295763C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN03122509.8

申请日：2003-04-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤貴之 ,  饭沼俊彦 ,  須黑恭一

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/24

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2686 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659

Abstract: 提供一种能精确地控制杂质的分布的半导体装置的制造方法。该制造方法包括：将杂质元素的离子注入半导体区域(1)的工序；作为预定元素将IV族的元素或与杂质元素的导电类型相同、质量数比杂质元素大的元素的离子注入半导体区域的工序；以及将闪光灯的光照射在注入了杂质元素及预定元素的非晶态区域(5、6)中，进行退火的工序。

公开(公告)号：CN1452223A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN03122509.8

申请日：2003-04-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤貴之 ,  饭沼俊彦 ,  須黑恭一

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/24

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2686 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659

Abstract: 提供一种能精确地控制杂质的分布的半导体装置及半导体装置的制造方法。该制造方法包括：将杂质元素的离子注入半导体区域(1)的工序；作为预定元素将IV族的元素或与杂质元素的导电类型相同、质量数比杂质元素大的元素的离子注入半导体区域的工序；以及将在600nm以下的区域中具有发光强度分布的最大点的光照射在注入了杂质元素及预定元素的区域(5、6)中，进行退火的工序。