公开(公告)号：CN102403317A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110066192.2

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 内原士 ,  川口雄介 ,  河村圭子 ,  筱原仁 ,  藤木世濑夫

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7808

Abstract: 半导体装置具备：第1导电型的漂移区域，从第1导电型的漏极层的表面到内部，有选择地被设于漏极层；第2导电型的基极区域，从漂移区域的表面到内部，有选择地被设于漂移区域；第1导电型的源极区域，从基极区域的表面到内部，有选择地被设于基极区域；沟槽状的门极电极，在相对于漏极层的主面大致平行的方向，从源极区域的一部分贯通邻接于源极区域的该一部分的基极区域，到达漂移区域的一部分；第2导电型的接触区域，包含有比基极区域的杂质浓度高的浓度的杂质，有选择地被设于漂移区域的表面；漏极电极，被连接于漏极层；源极电极，被连接于源极区域及接触区域，接触区域从漏极层侧朝向漂移区域延伸，与漏极层不接触。