-
公开(公告)号：CN1492587A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN02106949.2
申请日：1995-02-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H03K19/09429 , H03K19/00315 , H03K19/018521
Abstract: 本发明提供的输出电路能够作全信号变化输出，同时在连接多个输出的应用场合，即使供给大小不同的电源电位也能防止电源之间电流的流通。其输出级由P沟道和N沟道NOS晶体管P1、N1组成，产生用来驱动二个MOS的晶体管栅极的控制信号的产生装置则由“与非”门、“或非”门NOR1和反相器INV1来构成。输出级的P沟道晶体管P1其源极和栅基在电位上是分隔开的，在此MOS晶体管P1的栅基与栅极之间连接以P沟道MOS晶体管P8的源极、漏极。
-
公开(公告)号：CN1111420A
公开(公告)日：1995-11-08
申请号：CN95103204.6
申请日：1995-02-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03K19/0175 , H03K19/003
CPC classification number: H03K19/09429 , H03K19/00315 , H03K19/018521
Abstract: 本发明提供的输出电路能够作全信号变化输出，同时在连接多个输出的应用场合，即使供给大小不同的电源电位也能防止电源之间电流的流通。其输出级由P沟道和N沟道NOS晶体管P1、N1组成，产生用来驱动二个MOS的晶体管栅极的控制信号的产生装置则由“与”与非“门”或门“非”NOR1和反相器INV1来构成。输出级的P沟道晶体管P1其源极和栅基在电位上是分隔开的，在此MOS晶体管P1的栅基与栅极之间连接以P沟道MOS晶体管P8的源极、漏极。
-
公开(公告)号：CN1258879C
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN02106949.2
申请日：1995-02-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H03K19/09429 , H03K19/00315 , H03K19/018521
Abstract: 本发明提供的输出电路能够作全信号变化输出，同时在连接多个输出的应用场合，即使供给大小不同的电源电位也能防止电源之间电流的流通。其输出级由P沟道和N沟道NOS晶体管P1、N1组成，产生用来驱动二个MOS的晶体管栅极的控制信号的产生装置则由“与非”门、“或非”门NOR1和反相器INV1来构成。输出级的P沟道晶体管P1其源极和栅基在电位上是分隔开的，在此MOS晶体管P1的栅基与栅极之间连接以P沟道MOS晶体管P8的源极、漏极。
-
公开(公告)号：CN1095247C
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN95103204.6
申请日：1995-02-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03K19/0175 , H03K19/003
CPC classification number: H03K19/09429 , H03K19/00315 , H03K19/018521
Abstract: 本发明提供的输出电路能够作全信号变化输出，同时在连接多个输出的应用场合，即使供给大小不同的电源电位也能防止电源之间电流的流通。其输出级由P沟道和N沟道NOS晶体管P1、N1组成，产生用来驱动二个MOS的晶体管栅极的控制信号的产生装置则由″与非″门、″或非″门NOR1和反相器INV1来构成。输出级的P沟道晶体管P1其源极和栅基在电位上是分隔开的，在此MOS晶体管P1的栅基与棚极之间连接以P沟MOS晶体管P8的源极、漏极。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.015 seconds)
