公开(公告)号：CN1431716A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN03101048.2

申请日：2003-01-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江口和弘 ,  犬宫诚治 ,  綱岛祥隆

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/511 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/31604 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法，可以提高其特性和可靠性。该半导体装置，包括：半导体衬底；在该半导体衬底上形成的，包含含有金属元素的硅氧化膜的栅绝缘膜；以及在上述栅绝缘膜上形成的电极。上述含有金属元素的硅氧化膜具有下表面附近的第一区、上表面附近的第二区、以及第一区和第二区之间的第三区；上述硅氧化膜中含有的金属元素在厚度方向上的浓度分布在上述第三区中有最大点。

公开(公告)号：CN1191622C

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN01133163.1

申请日：2001-09-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中正幸 ,  中嶋一明 ,  綱岛祥隆 ,  伊藤贵之 ,  须黑恭一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76886 ,  H01L29/665

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，通过向半导体衬底短时间照射大量的光子，改进与半导体衬底和布线相连的接触层、硅化物层和氮化硅膜等的在半导体衬底上形成的膜。在形成微细接触层时，把在接触孔内部形成金属氮化膜的工序、在600℃以下的温区内实施第一加热处理的工序、和在实施第一加热处理时的以10毫秒以下的短时间且具有以比硅的光吸收端还短的波长侧为主的发光波长的第二加热处理相组合，使TiN膜与基板界面起反应，还原自然氧化膜。短时间的热处理不会影响扩散层的杂质分布。

公开(公告)号：CN1349253A

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：CN01133163.1

申请日：2001-09-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中正幸 ,  中嶋一明 ,  綱岛祥隆 ,  伊藤贵之 ,  须黑恭一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76886 ,  H01L29/665

Abstract: 通过向半导体衬底短时间照射大量的光子,改进与半导体衬底和布线相连的接触层、硅化物层和氮化硅膜等的在半导体衬底上形成的膜。在形成微细接触层时,把在接触孔内部形成金属氮化膜的工序、在600℃以下的温区内实施第一加热处理的工序、和在实施第一加热处理时的以10毫秒以下的短时间且具有以比硅的光吸收端还短的波长侧为主的发光波长的第二加热处理相组合,使TiN膜与基板界面起反应,还原自然氧化膜。短时间的热处理不会影响扩散层的杂质分布。