公开(公告)号：CN1431716A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN03101048.2

申请日：2003-01-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江口和弘 ,  犬宫诚治 ,  綱岛祥隆

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/511 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/31604 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法，可以提高其特性和可靠性。该半导体装置，包括：半导体衬底；在该半导体衬底上形成的，包含含有金属元素的硅氧化膜的栅绝缘膜；以及在上述栅绝缘膜上形成的电极。上述含有金属元素的硅氧化膜具有下表面附近的第一区、上表面附近的第二区、以及第一区和第二区之间的第三区；上述硅氧化膜中含有的金属元素在厚度方向上的浓度分布在上述第三区中有最大点。