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公开(公告)号:CN103403670A
公开(公告)日:2013-11-20
申请号:CN201280010818.0
申请日:2012-02-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06F7/58
Abstract: 根据一个实施例,一种半导体存储器件包括:存储基元阵列,其包括多个存储基元;随机数生成电路,其被配置为生成随机数;以及控制器,其被配置为控制所述存储基元阵列和所述随机数生成电路。所述随机数生成电路包括:随机数控制电路,其被配置为基于通过生成的控制参数从所述存储基元读出的数据而生成随机数参数;以及伪随机数生成电路,其被配置为通过使用所述随机数参数作为种子值来生成所述随机数。